GiştîRavekirinaBersivîSIC Bonded
Reactions Bonded Sic xwedan taybetmendiyên mekanîkî û berxwedana oxidation e. Mesrefa wê bi kêmasî ye. Di civaka heyî de, ew di pîşesaziyên cûda de bêtir û bêtir bala kişandiye.
Sic girêdanek kovalentek pir bihêz e. Di nav sinetê de, rêjeya belavkirinê pir kêm e. Di heman demê de, rûçika parçeyan bi gelemperî pişkek oxide ya nermî ya ku rola astengiya belavokê dilîze dike. Paqij SIC bêyî additives sintering bi zor û tevlihev e. Heya ku pêvajoya germkirinê ya germ tête bikar anîn, divê ew jî additivesên maqûl jî hilbijêrin. Tenê di germên pir bilind de, dikarin materyalên ku ji bo dendika teoriyê ya nêzîkî dendika teorîk têne wergirtin, divê di navbera 1950-an de ji 2200 ℃ re be. Her çend composites sic dikare bi depoya vaporê were wergirtin, ew bi amadekirina materyalên xwerû an dirûvê xwerû bi sînor e. Ji ber wextê xwe ya bêdeng, dê lêçûna hilberînê zêde bibe.
Reactions Bonded Sic di sala 1950-an de ji hêla popper ve hate nûjen kirin. Prensîba bingehîn ev e:
Di bin çalakiya capillary de, silicon an alloyîliya silicon bi çalakiya reaktîf re têkildar bi sererastên porous ên ku tê de karbon hene û di reaksiyonê de avakirina karbonê ava kirin. SILICON CARBIDE SILICON FRUENDED li ser parçeyên xwerû yên SILICON li SITU, û porê mayî yên di Filler de tije ne ku ji bo temamkirina pêvajoya dendikê tije ne.
Bi pêvajoyên din ên seramîkên carbide yên silicon re, pêvajoya sinterkirinê xwedan taybetmendiyên jêrîn hene:
Germahiya pêvajoyê ya kêm, dema kurtkirina kurt, hewcedariya alavên taybetî an biha;
Parçeyên Bonded Bonded Bi Shrinkage an Guhertina Mezinahiyê;
Rêbazên mîhengên cihêreng (derxistina, injeksiyonê, zext û rijandin).
Ji bo şikilandinan bêtir rêbaz hene. Di dema sintering, mezinahî û mezinên mezin de dikarin bêyî zextkirinê werin hilberandin. Teknolojiya girêdana Bonded ya Silicon Carbide ji bo nîv sedsal hate xwendin. Ev teknolojî bûye yek ji baldarî pîşesaziyên cûrbecûr ji ber avantajên xwe yên bêhempa.
Wexta paşîn: Gulan-04-2018