Ravekirina giştî ya Reaction Bonded SiC

Giştîravekirina yaBersivîSiC girêdayî

Reaction Bonded SiC xwedan taybetmendiyên mekanîkî û berxwedana oksîdasyonê ye. Mesrefa wê nisbeten kêm e. Di civaka heyî de, di pîşesaziyên cûrbecûr de her ku diçe bal kişandiye ser xwe.

SiC girêdanek kovalentî ya pir xurt e. Di sinterkirinê de, rêjeya belavbûnê pir kêm e. Di heman demê de, rûbera perçeyan bi gelemperî qatek oksîdê ya zirav ku rola astengiya belavbûnê dilîze vedigire. SiC Paqij bêyî lêzêdekirinên ziravkirinê bi dijwarî çêdibe û tevlihev e. Tewra ku pêvajoya pêlkirina germ were bikar anîn, divê ew pêvekên guncan jî hilbijêrin. Tenê di germahiyên pir bilind de, meriv dikare materyalên ku ji bo dendika endezyariyê ya nêzikî dendika teorîkî ya ku divê di navbera 1950 ℃ heya 2200 ℃ de be, were bidestxistin. Di heman demê de, şekl û mezinahiya wê dê sînordar be. Her çend pêkhateyên SIC-ê dikarin bi daxistina buharê ve werin bidestxistin, ew bi amadekirina materyalên bi dendika kêm an qata tenik ve sînorkirî ye. Ji ber dema wê ya dirêj a bêdeng, lêçûna hilberînê dê zêde bibe.

Reaction Bonded SiC di sala 1950-an de ji hêla Popper ve hate kifş kirin. Prensîba bingehîn ev e:

Di bin çalakiya hêza kapîlar de, siliconê şil an jî alema sîlîkonê ya bi çalakiya reaktîf ket hundurê seramîkên poroz ên ku karbon tê de hene û di reaksiyonê de silicon karbon ava kir. Karbîda siliconê ya ku nû hatî çêkirin li cîhê xwe bi perçeyên karbîdên siliconê yên orîjînal ve tê girêdan, û porên mayî yên di dagirtinê de bi kargêrê mêtinker têne dagirtin da ku pêvajoya dravbûnê temam bikin.

Li gorî pêvajoyên din ên seramîkên silicon carbide, pêvajoya sintering taybetmendiyên jêrîn hene:

Germahiya pêvajoyê ya kêm, dema pêvajoyek kurt, hewcedariya alavên taybetî an biha tune;

Reaksîyon Parçeyên pêvekirî yên ku bê kêmbûn an guherîna mezinahiyê ne;

Rêbazên şilkirinê yên cihêreng (derxistin, derzîkirin, pêxistin û rijandin).

Zêdetir rêbazên ji bo teşekirinê hene. Di dema sinterkirinê de, hilberên mezin û tevlihev bêyî zextê têne hilberandin. Teknolojiya Reaction Bonded ya karbîdê silicon nîv sedsalê hatî lêkolîn kirin. Ev teknolojî ji ber avantajên xwe yên bêhempa bûye yek ji navendên pîşesaziyên cihêreng.