Жалпытуралы түсініктемеРеакцияБайланысты SiC
Reaction Bonded SiC механикалық қасиеттерге және тотығуға төзімділікке ие. Оның құны салыстырмалы түрде төмен. Қазіргі қоғамда ол әртүрлі салаларға көбірек назар аударды.
SiC - өте күшті коваленттік байланыс. Агломерацияда диффузия жылдамдығы өте төмен. Сонымен қатар, бөлшектердің беті жиі диффузиялық кедергі рөлін атқаратын өте жұқа оксидті қабатты жабады. Таза SiC агломерациялық қоспаларсыз әрең өңделеді және жинақы. Ыстық престеу процесі қолданылса да, ол қолайлы қоспаларды таңдауы керек. Тек өте жоғары температурада 1950 ℃-ден 2200 ℃ аралығында болуы керек теориялық тығыздыққа жақын инженерлік тығыздыққа қолайлы материалдарды алуға болады. Сонымен бірге оның пішіні мен өлшемі шектеулі болады. SIC композиттерін бумен тұндыру арқылы алуға болатынына қарамастан, ол төмен тығыздықты немесе жұқа қабатты материалдарды дайындаумен шектеледі. Ұзақ тыныш уақыт болғандықтан, өнімнің өзіндік құны өседі.
Reaction Bonded SiC 1950 жылдары Поппер ойлап тапқан. Негізгі қағидасы:
Капиллярлық күштің әсерінен сұйық кремний немесе реактивті активті кремний қорытпасы құрамында көміртегі бар кеуекті керамикаға еніп, реакцияда көміртекті кремний түзеді. Жаңадан пайда болған кремний карбиді бастапқы кремний карбиді бөлшектерімен in situ байланысады, ал толтырғыштағы қалдық кеуектер тығыздау процесін аяқтау үшін сіңдіру агентімен толтырылады.
Кремний карбидті керамиканың басқа процестерімен салыстырғанда агломерация процесі келесі сипаттамаларға ие:
Төмен өңдеу температурасы, қысқа өңдеу уақыты, арнайы немесе қымбат жабдықты қажет етпейді;
Реакция Шөгілмейтін немесе өлшемі өзгермейтін жабыстырылған бөлшектер;
Диверсификацияланған қалыптау әдістері (экструзия, айдау, престеу және құю).
Пішіндеудің басқа әдістері бар. Агломерация кезінде қысымсыз үлкен өлшемді және күрделі өнімдерді алуға болады. Кремний карбидінің Reaction Bonded технологиясы жарты ғасыр бойы зерттелді. Бұл технология өзінің бірегей артықшылықтарының арқасында әртүрлі салалардың фокустарының біріне айналды.
Жіберу уақыты: 04 мамыр 2018 ж