სილიკონის კარბიდს აქვს შესანიშნავი წინააღმდეგობა კოროზიის მიმართ, მაღალი მექანიკური სიმტკიცე, მაღალი თბოგამტარობა, თერმული გაფართოების ძალიან დაბალი კოეფიციენტი და უკეთესი თერმული შოკის წინააღმდეგობა, ვიდრე ალუმინის უჯრედის ძალიან მაღალი ტემპერატურა. სილიციუმის კარბიდი შედგება ნახშირბადის და სილიციუმის ატომების ტეტრაჰედრებისგან, კრისტალურ ბადეში ძლიერი ბმებით. ეს ქმნის ძალიან მყარ და ძლიერ მასალას. სილიციუმის კარბიდს არ ესხმის მჟავები, ტუტეები ან გამდნარი მარილები 800ºC-მდე. ჰაერში, SiC ქმნის დამცავ სილიციუმის ოქსიდის საფარს 1200ºC ტემპერატურაზე და შეიძლება გამოყენებულ იქნას 1600ºC-მდე. მაღალი თერმული კონდუქტომეტრული დაბალი თერმული გაფართოება და მაღალი სიძლიერე ამ მასალას აძლევს განსაკუთრებულ თერმული შოკისადმი მდგრად თვისებებს. სილიციუმის კარბიდის კერამიკა მარცვლეულის საზღვრის მცირე მინარევებით, ინარჩუნებს სიმტკიცეს ძალიან მაღალ ტემპერატურამდე, უახლოვდება 1600ºC სიძლიერის დაკარგვის გარეშე. ქიმიური სისუფთავე, ქიმიური შეტევის წინააღმდეგობა ტემპერატურაზე და სიმტკიცის შეკავება მაღალ ტემპერატურაზე გახადა ეს მასალა ძალიან პოპულარული, როგორც ვაფლის უჯრის საყრდენები და ბალიშები ნახევარგამტარულ ღუმელებში. მასალის ელექტრული გამტარობის უჯრედის სახელმა გამოიწვია მისი გამოყენება ელექტრო ღუმელების წინააღმდეგობის გამათბობელ ელემენტებში და როგორც ძირითადი კომპონენტი თერმისტორებში (ტემპერატურის ცვლადი რეზისტორები) და ვარისტორებში (ძაბვის ცვლადი რეზისტორები). სხვა აპლიკაციებში შედის დალუქვის სახეები, აცვიათ ფირფიტები, საკისრები და ლაინერის მილები.
გამოქვეყნების დრო: Jun-05-2018