სილიციუმის კარბიდს აქვს შესანიშნავი კოროზიისადმი მდგრადობა, მაღალი მექანიკური სიმტკიცე, მაღალი თბოგამტარობა, თერმული გაფართოების ძალიან დაბალი კოეფიციენტი და უკეთესი თერმული დარტყმისადმი მდგრადობა, ვიდრე ალუმინის უჯრედს ძალიან მაღალ ტემპერატურაზე. სილიციუმის კარბიდი შედგება ნახშირბადის და სილიციუმის ატომების ტეტრაედრებისგან, რომლებსაც აქვთ ძლიერი ბმები კრისტალურ ბადეში. ეს წარმოქმნის ძალიან მყარ და მტკიცე მასალას. სილიციუმის კარბიდი არ ექვემდებარება მჟავების, ტუტეების ან გამდნარი მარილების დაზიანებებს 800ºC-მდე. ჰაერში SiC წარმოქმნის დამცავ სილიციუმის ოქსიდის საფარს 1200ºC-ზე და შეიძლება გამოყენებულ იქნას 1600ºC-მდე. მაღალი თბოგამტარობა დაბალ თერმულ გაფართოებასთან და მაღალ სიმტკიცესთან ერთად ამ მასალას ანიჭებს განსაკუთრებულ თბოგამძლე თვისებებს. სილიციუმის კარბიდის კერამიკა მცირე ან საერთოდ არ შეიცავს მარცვლოვანი სასაზღვრო მინარევებს და ინარჩუნებს სიმტკიცეს ძალიან მაღალ ტემპერატურაზე, რომელიც უახლოვდება 1600ºC-ს სიმტკიცის დაკარგვის გარეშე. ქიმიური სისუფთავე, ქიმიური ზემოქმედებისადმი მდგრადობა ტემპერატურაზე და სიმტკიცის შენარჩუნება მაღალ ტემპერატურაზე ამ მასალას ძალიან პოპულარულს ხდის, როგორც ვაფლის უჯრის საყრდენს და ნიჩბებს ნახევარგამტარულ ღუმელებში. მასალის უჯრედის ელექტრული გამტარობის გამო მისი გამოყენება ელექტრო ღუმელების წინააღმდეგობის გამათბობელ ელემენტებში და თერმისტორებსა (ტემპერატურის ცვლადი რეზისტორები) და ვარისტორებში (ძაბვის ცვლადი რეზისტორები) ძირითად კომპონენტად გამოიყენება. სხვა გამოყენება მოიცავს დალუქვის ზედაპირებს, ცვეთის ფირფიტებს, საკისრებს და ლაინერის მილებს.
გამოქვეყნების დრო: 05 ივნისი, 2018