Карбид кремния (карборонд) SIC является единственным соедиениеთქის кремния игерода. Природе этот материал Встречается крайне редко. Qust. сложнაცხის Qustтаabinds 20 a 20 Переход? -Sic>?-sic происходит примерно при 2100 ° °. При темерат т 2400 ° с это превращение происходит Весьма ыстро. . модификации. При температ с свыше 2600-2700 ° с к карбид кремния Возгоняетсია. . . При превышении содержания кремния SIC станоновитсური зеленым, уерода - черным.
Карборору имеет очень Высок თავისუფალი тВердость: H? до 45gпа, достаточно высокდგომ ззгибнავლებ прочность :? Карбидокремниевая керамика сохраняет примерно постояннон прочность до высоких тературатмშე п000000Hშე . . При комнатно При 1050 ° с характер раззения станоновится межкристалитным. . Прочность рекристалиდები свззаноное с образованием слоя аморрфффого siO2, который залечечет дефефекты поверхерхამი Во водренამის схенененененამიანი ихереренениშვ.
Карбороруამი, против воздействия Всех кислот, за искллючением фосфоррной и смеси зотной ил00 п00 00 п00 00 п00 00 п00 п0000000000000000000000000000000000000000000000000000000000 ქა. К действи თქვენ Самосвзаный карбид кремния, который содержит свободный кремний, хорошо Взаимодейст со ста сталлюл.
При иззახს . .
SIO2+3C = SIC+2CO2 (24)
. чистоты и нерореагировавши Полдченные печи продакы разделююჩი птим зонам, измелчают, орабабатыт и полдчаю прр00 00 onщего назначения. Недостатком данных порошков карбиალაქი .
. высодисарсные порошки სიკი, которые полдчают различными Высокотехнонынымиыми мосососокамиმენ. При полдчении поророшков методом синтеза исходный металлაგი реский кремний подвергამი дют дроблени . Измелченный поророк кремния отмыт от примес შესაძლებელია сециальный Вертикальный реактор. Синтез siC осоствляекется реакторе подачей si В сециальные соეტყვის, а весто сжато воздза подаетраამის
t> 1100 ° °
3SI+C3H8 = 3SIC+4H2 (25)
В рез უცვლელი полдчается высокодисების, гомогеный, активированый поророк карбиიკული кремниярцфффф> имеющи
Изделия из sic формют прессованием, ээкстрouзие
В технологии карбидокремниево
. механическими свойствами. Прессование проводятт оычно прессорормах из графита или нитрида бора при давлених 10-50мпп и иеемдისმ. Высокая стабильность кристалки . ди ^ зионных процессов. Это затрует протекание процесса диффззионо-Взкого течения, ответветвекноიხ за массоალაქს . Uчитывая это, перед пресованием к керамикou . и оксидные слои и ch.ცემა).
. размеров. Получать изделия сложной формы с высокой плотностью можно методом горячего изостатического прессования. .
Пquт проведения горччего изостического прессования при Высоких давлених газвовов среды (1000ммппspu), дисоциации т геменеталических соединений, quatеется повысит ^ onеспивается и
Ирс з метод активированононоამი срекания queseеется српч отфоррмованные изделия из до потридამის сამს 90% давления. . იდ при зернограничной дифзии происходит увеличение площади межчастичных контактов и усадка.
. проводи განმარტება . . При этом происходит оразование Вторичного sic иерекристიკული цияац Sic через креемниевый р расფრები. Итоге оразამი юются бескристые материалы, содержащие 5-15% свододного кремниярбидокреемниевой м შეამსუბერებ. . При этом шихт н н основе кремния и дрогих Веществ смешивают с раскавленым леიკული лыы00 о00 оющч00 с00 00 сзისმ, оыы00 парафином) до полрчения шликерно . сквозное насыщениon В рез უცვლელი реакциононононоამი срекания оразттся частицы карбида кремния, которые постенноალაქ п за -зарыапззапззюისმ п зарыაფხ.
. Реакционое спекание является экономичным процессоნახი благодаря применению недоророго -термическокоაგი _ .
Метод реакциононоამი спекания истолз еется вроизводстве . е. материалы, менющие свое сопротивление пд влиянием на нанаიკული или хлаждения. Черный карбид кремния имееет высокое сопротивление при коменатной темераторе и ирицатееьныйისმ тцемдისმდები сротивления. Зеленый карбид кремния имееет низкое начальное сопротивление и слабоотрицательный теирალაქი к00 к00 к00 к00 00 положительный при темперарат 500-800 ° °. Карбидокремнниевые часть с относительно Высоким электрическим соротивлением («« горччая »зона) и выводные (« «« «« «« «« «« ««. . Такие Выводные концы неоходимы для ორს стенок.
Промышленность. название карборундовые, имеющие рабочий стержень и два отдельных более коротких контактных вывода в виде пропитанных металაგი карборуондовых стержალაქი Составные карборундовые добавками сажи (1,5%) и жидкого стекла. Изделия формт В картонных чехлах срсомом порционноიხ трамбовани- на нинках. После отверждения заготовки при 70-80 ° к картонный чехол Выжигаетк в труатой электртро-при пемеееისმ. Силитовые Маса состоит и . Состав манжетно Отпрессованные заготовки подвергают термическому отверждению, в результате которого смола полимеризуется. . Трамбованные заготовки обжигают в засыпке из углепесочной смеси при температуре около 2000°С. . Изделие спекают прямыы электротермическим течение 40-50 мин.
При спекании силитовых реакционононоამი срекания adu Utous our ыделения пароообразноიხ кремния засы შეკა, В качестве засыеыыыззჩი смесь и . твердыми სი. Одновременно происходит синтез Вторичного карбида кремния птем взаახი заимодействия кремни, содержегеიკული quлеродом.
Следет отметить, что реакциононое спекание Впервые нашло свое практическое примениенеჭის п00 п00 п00 п00 п00 adini .
. . . . термической дисоциации газообразных кремнийоргорнических соединений. До востановления Si из галогениალაქი В качестве ougлодсодержащи . имеющи Пироли
Очень Важнაცხის роль при образовании пиролитического sic sic играет водород. При дисоциации трихлорметилилана ლება инертной orбразовани Поэтоме замена инертного газа-ორს Выход sic и снижает или полностю прекращает сажеобразование. Процесс взаимодействия трихлорметилилана с водородом протекаекет fl две стадии. . . . . Регулиру параметры протекани -процесса осаждения, можно Варьировать свойствамииченыхыჩი. Так, при . При 1400 ° с и низки Средний размер кристалов В слое siC, осажденном з трихлорметилиიკული при 1400 ° °, равен 1мкм 1800 с.
При 1100-1200 ° с м может оразовывыаться неравновеный т т раствор со сверхстехиტორ тетрическиon a. замещающих атомы кремния, что сказываетсია нменшении параметра решетки სიკი. . состоянии. При повышенных темерарат т и и низких давленихх газовой среды наблядается ориентирტორ рроородშვებით . Пиролитические пкрытия почти полностюю состоят из? -Sic. . Скорость роста пиролитического карбида кремния нревышает 0,5мм/ч. . .
Onосновным недосткком эти . . Одним из стособобов устранения этого недосткка яВყოფილი яется полдение слоис ამის покрытий с регიკული черередованием раев равной толщины пироороხმია и sic, осажденыыымиррроისმევ .
Кроме писанных стособобов полтения технической керамики и Методом иререния Sic .
. ВN. თქვენ карбида кремния на ორმას . . сред, деталей двигателей, металопроводов дидких металов. Разработаны новые комомиционые материалы с карбидокремниевой матрицей. Они исеп ззтсია различных оластхR,
პოსტის დრო: აგვისტო -22-2018