Teknologi

1. Kaluwihan saka reaksi kabeungkeut silikon karbida

Produk Reaction Bonded Silicon Carbide (RBSC, utawa SiSiC) nawakake kekerasan / abrasi sing ekstrem lan stabilitas kimia sing luar biasa ing lingkungan sing agresif. Silicon Carbide minangka bahan sintetik sing nuduhake karakteristik kinerja dhuwur kalebu:

lResistance kimia sing apik banget.

Kekuwatan RBSC meh 50% luwih gedhe tinimbang karbida silikon ikatan nitrida. RBSC punika resistance karat banget lan keramik antioxidation.. Bisa kawangun menyang macem-macem nozzle desulpurization (FGD).

lNyandhang banget lan resistance impact.

Iki minangka puncak teknologi keramik tahan abrasi skala gedhe. RBSiC nduweni atose dhuwur nyedhaki inten. Dirancang kanggo digunakake ing aplikasi kanggo wangun gedhe ngendi gelar refractory saka silikon karbida mameraken nyandhang abrasive utawa karusakan saka impact saka partikel gedhe. Tahan kanggo impingement langsung saka partikel cahya uga impact lan ngusapake abrasion saka ngalangi abot ngemot slurries. Bisa dibentuk dadi macem-macem wujud, kalebu bentuk kerucut lan lengen, uga potongan rekayasa sing luwih rumit sing dirancang kanggo peralatan sing melu pangolahan bahan mentah.

lResistance kejut termal sing apik banget.

Komponen karbida silikon sing diikat reaksi nyedhiyakake resistensi kejut termal sing luar biasa nanging ora kaya keramik tradisional, padha uga nggabungake kapadhetan rendah kanthi kekuatan mekanik sing dhuwur.

lKekuwatan dhuwur (nemu kekuatan ing suhu).

Reaction bonded Silicon carbide nahan sebagian besar kekuatan mekanik ing suhu sing luwih dhuwur lan nuduhake tingkat creep sing sithik, dadi pilihan pertama kanggo aplikasi bantalan beban ing kisaran 1300ºC nganti 1650ºC (2400ºC nganti 3000ºF).

1. Lembar data teknis

Lembar Data Teknis	Unit	SiSiC (RBSiC)	NbSiC	ReSiC	Sintered SiC
		Reaksi Bonded Silicon Carbide	Nitride Bonded Silicon Carbide	Silicon Carbide Recrystallized	Sintered Silicon Carbide
Kapadhetan akeh	(g.cm3)	≧ 3.02	2.75-2.85	2.65~2.75	2.8
SiC	(%)	83.66	≧ 75	≧ 99	90
Si3N4	(%)	0	≧ 23	0	0
Si	(%)	15.65	0	0	9
Open Porositas	(%)	<0.5	10~12	15-18	7~8
Kekuwatan mlengkung	Mpa / 20 ℃	250	160~180	80-100	500
	Mpa / 1200 ℃	280	170~180	90-110	550
Modulus elastisitas	Gpa / 20 ℃	330	580	300	200
	Gpa / 1200 ℃	300	~	~	~
Konduktivitas termal	W/(m*k)	45 (1200 ℃)	19,6 (1200 ℃)	36,6 (1200 ℃)	13.5~14.5 (1000 ℃)
Confficient saka expansion termal	Kˉ1 * 10ˉ6	4.5	4.7	4.69	3
Skala kekerasan Mons (Rigiditas)		9.5	~	~	~
Suhu kerja maksimal	℃	1380	1450	1620 (oksida)	1300

1. Kasus IndustriKanggo Reaction Bonded Silicon Carbide:

Pembangkit Listrik, Pertambangan, Kimia, Petrokimia, Kiln, Industri manufaktur mesin, Mineral & Metalurgi lan liya-liyane.