反応結合SiCの概要説明

一般的なの説明反応接着SiC

反応結合SiCは機械的特性と耐酸化性を備えています。コストは比較的安価です。現代社会では、さまざまな業界でますます注目を集めています。

SiC は非常に強い共有結合を持っています。焼結時の拡散速度は非常に遅いです。同時に、粒子の表面は、拡散障壁の役割を果たすかなり薄い酸化物層で覆われていることがよくあります。純粋な SiC は、焼結助剤を使用しないとほとんど焼結せず、緻密になります。ホットプレスプロセスを使用する場合でも、適切な添加剤を選択する必要があります。非常に高い温度でのみ、理論密度に近い工学密度に適した材料が得られます。理論密度は 1950 ℃ ～ 2200 ℃ の範囲内である必要があります。同時に、その形状とサイズは制限されます。 SIC 複合材料は蒸着によって得ることができますが、それは低密度または薄層材料の調製に限定されます。沈黙期間が長いため、生産コストが高くなります。

反応結合 SiC は、1950 年代に Popper によって発明されました。基本原則は次のとおりです。

毛細管力の作用により、反応活性を有する液体シリコンまたはシリコン合金が炭素を含む多孔質セラミックスに浸透し、反応により炭素シリコンが形成されます。新たに形成された炭化ケイ素はその場で元の炭化ケイ素粒子に結合し、充填剤の残留細孔は含浸剤で満たされて緻密化プロセスが完了します。

炭化ケイ素セラミックスの他のプロセスと比較して、焼結プロセスには次のような特徴があります。

低い処理温度、短い処理時間、特別なまたは高価な装置は必要ありません。

反応接着部品は収縮やサイズの変化がありません。

多様な成形方法（押出成形、射出成形、プレス成形、注入成形）。

形を整える方法は他にもあります。焼結中、加圧なしで大型で複雑な製品を製造できます。炭化ケイ素の反応結合技術は半世紀にわたって研究されてきました。このテクノロジーは、その独特の利点により、さまざまな業界で注目を集めています。