Silikon Karbida Rekristalisasi (RXSIC, ReSIC, RSIC, R-SIC). Bahan baku awalnya adalah silikon karbida. Tidak ada alat bantu densifikasi yang digunakan. Kompak hijau dipanaskan hingga lebih dari 2200ºC untuk konsolidasi akhir. Bahan yang dihasilkan memiliki porositas sekitar 25%, yang membatasi sifat mekaniknya; namun, bahannya bisa sangat murni. Prosesnya sangat ekonomis.
Silikon Karbida Berikat Reaksi (RBSIC). Bahan baku awalnya adalah silikon karbida ditambah karbon. Komponen hijau kemudian diinfiltrasi dengan silikon cair di atas 1450ºC dengan reaksi: SiC + C + Si -> SiC. Struktur mikro umumnya memiliki sejumlah kelebihan silikon, yang membatasi sifat suhu tinggi dan ketahanan terhadap korosi. Sedikit perubahan dimensi terjadi selama proses tersebut; namun, lapisan silikon sering kali terdapat pada permukaan bagian akhir. ZPC RBSiC mengadopsi teknologi canggih, memproduksi lapisan tahan aus, pelat, ubin, lapisan siklon, balok, suku cadang tidak beraturan, dan nozel FGD tahan aus & korosi, penukar panas, pipa, tabung, dan sebagainya.
Silikon Karbida Berikat Nitrida (NBSIC, NSIC). Bahan baku awalnya adalah silikon karbida ditambah bubuk silikon. Kompak hijau ditembakkan dalam atmosfer nitrogen dimana terjadi reaksi SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4. Bahan akhir menunjukkan sedikit perubahan dimensi selama pemrosesan. Bahan tersebut menunjukkan tingkat porositas tertentu (biasanya sekitar 20%).
Silikon Karbida Sinter Langsung (SSIC). Silikon karbida adalah bahan baku awal. Alat bantu densifikasi adalah boron ditambah karbon, dan densifikasi terjadi melalui proses reaksi keadaan padat di atas 2200ºC. Sifatnya terhadap suhu tinggi dan ketahanan terhadap korosi lebih unggul karena tidak adanya fase kedua seperti kaca pada batas butir.
Silikon Karbida Sinter Fase Cair (LSSIC). Silikon karbida adalah bahan baku awal. Alat bantu densifikasi adalah yttrium oksida ditambah aluminium oksida. Densifikasi terjadi di atas 2100ºC melalui reaksi fase cair dan menghasilkan fase kedua seperti kaca. Sifat mekanik umumnya lebih unggul daripada SSIC, tetapi sifat suhu tinggi dan ketahanan korosinya tidak begitu baik.
Silikon Karbida Tekan Panas (HPSIC). Bubuk silikon karbida digunakan sebagai bahan baku awal. Alat bantu densifikasi umumnya berupa boron ditambah karbon atau yttrium oksida ditambah aluminium oksida. Densifikasi terjadi melalui penerapan tekanan mekanis dan suhu secara simultan di dalam rongga cetakan grafit. Bentuknya piring sederhana. Alat bantu sintering dalam jumlah sedikit dapat digunakan. Sifat mekanik bahan pengepresan panas digunakan sebagai dasar perbandingan proses lainnya. Sifat listrik dapat diubah dengan perubahan alat bantu densifikasi.
Silikon Karbida CVD (CVDSIC). Bahan ini terbentuk melalui proses deposisi uap kimia (CVD) yang melibatkan reaksi: CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl. Reaksi dilakukan di bawah atmosfer H2 dengan SiC diendapkan pada substrat grafit. Prosesnya menghasilkan bahan dengan kemurnian sangat tinggi; Namun, hanya piring sederhana yang bisa dibuat. Prosesnya sangat mahal karena waktu reaksi yang lambat.
Silikon Karbida Komposit Uap Kimia (CVCSiC). Proses ini dimulai dengan prekursor grafit eksklusif yang dikerjakan menjadi bentuk mendekati jaring dalam keadaan grafit. Proses konversi menjadikan bagian grafit mengalami reaksi keadaan padat uap in situ untuk menghasilkan SiC polikristalin yang benar secara stoikiometri. Proses yang dikontrol ketat ini memungkinkan desain rumit diproduksi dalam bagian SiC yang dikonversi sepenuhnya yang memiliki fitur toleransi ketat dan kemurnian tinggi. Proses konversi mempersingkat waktu produksi normal dan mengurangi biaya dibandingkan metode lain.* Sumber (kecuali disebutkan): Ceradyne Inc., Costa Mesa, California.
Waktu posting: 16 Juni 2018