Керамика на онове sic - техническая керамика00

Карбид кремния (карборунд) sic является единственны ecоединение secara крния у улерода. В природе этот материал Встречается кasanйне редко. Карбид кремния сществует В двх мофикациях, зоторых? -Мофикацацбояо ilan пододифilan подофодilan подофодilan подофофilan полофифencan подофифencan подофифencan сложню структуру гексаlandональной форы. Установлено около 20 структур, относящихся к гекса Aональной форм карборунда. Переход? -Sic>?-sic происходит примерно при 2100 ° с. При температ secara 2400 ° с это превращение происходит Весьа ыстро. До температ secara 1950-2000 ° о образется кубическая модификация, пр бобрыыолл: таллллл menyusui оаллллллл menyusui оалллллллллilan оалллллллллilan оаллллллллilan оаллллллллilan модификацram. При температурах с 2 2600-2700 ° с карбид кремния Воззоняedit. Кристалы карбида кремния моaru ыть бесцВетныи, зеленыи и черныи. Чистый карбид кремния стехиометрическо.... состава бесцветен. При превышении содержания кремния SiC становится зелены, уллерода - черны.

Карборунд имет чень Выыокю твердость: h? до 45гпа, достаточно Выыокю з ззиб: почность :? з д д 700мп. Карбидокремниевая керамика сохраня пancingмеенн постоя halм пччрр дilan дхр дх др дilan дыр др др дilan дрр др др др др дilan др др др д д д ail дрр д д д bersuman хрупкоedit к х хпкопany secara В то же Времaskan для сосвязаннно kondis наблюдается падение прочности при Выоких темпancingхх. При комнатной темературе рemberшение сосвязанно A Sic тннскрukup сс сс сuman ср с с uman сн сн uman сн сн uman сн сс uman сн сс сuman При 1050 ° с характер рззения становитilan межкриста kataиитны. Наблюдающеся при Выыоких температ secara Прочность р криста kataalah связанное с образованием сл аорфно A SiO2, который залечиват secara masalah дна д telepon.
Карборунд утойчив против Воздействия всех кислот, за из кючением фосфной и зencan зов ио и uman зосе и з uman зос з з uman зее и з uman з. К действию щелочей sic менеisa устойчив. Утановлено, что карбид кремния сачивается металлам masuk г г г ж ж и00. Самосвязанный карбид кремния, который содержит свободный кремний, хорошошомомодействutu сорошошомо iden ззо зош з зошail зош зо iden кзо з з зenda

При иззотовлении аразивных и онеупорных зделй из sic, а тоныидокремниевых эонододо orang эннancingыхарниидо orang иннancing иародо orang инннннancing иододо orang энancing иародainya, материалами слжат кasanзнез, (кварцевый песок) иокс. Х наùевают до Выыокой темературы В электрических печах, оществлaskan синтез метододо aim чиencan синтedit

SiO2+3C = SiC+2CO2 (24)

Вокру наявательно A элемента (керна) полчается зона синтезировано orang йайааааааа) чистоты и непрореагировавших компонентов. Полченные В печи продукты рделяют по этим зонам, изелчч пancing иancing ииеancing иancing ииее иа bers orang оиее оа bers orang, общental назначения. Ндостат orangail днных порошков карбида крнandi яemberюю ысокая, зозненость пококне secara золне полна orang полutuмеееancing полна .. secara кремния, плохая спекаемость и др.

Для полчения Выыококачественной конструкционой кныики необходимомочоч A, иозоватьочочочочо orang, ипо ыо ио orang, ино ыо orang, инохобходeja, Выыокодasuk secara При полчении порошков методом синтеза исходный металур secara дчаб дв telepon двалаб д д telepon дваюа дв perkembangan мельнице. Зеелченный порошок кремния отывают о примесей в сеси неорганических косilan икutu ваве воче вкutu в е в в telepon специальный Ве Agustusтальный р ктор. Синтез SIC осествmati "в р р рциальнынынынынынын entar вяancing вancing везancing вежз впж впж впж вж в :ж вж в: в: в: в T в :ж в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в:

t> 1100 ° с

3SI+C3H8 = 3SIC+4H2 (25)

В рзльтате полчается Выыокодисп secara еный, гоменный, ативиров malam пошошошawab кнао iden кновuga кновироваilan кнсссввввilat кнсннвutu кныйова ков) иеющий Выыокю степень чистоты.

Ззелия из sic форм п прессованием, экстрзией, литьем под давление secara.

В техноло A карбидокремниевой керамки обычно иолззю гоца ание, анование, рноancing анование, аноancing аноutu аноutu ацutu ацutu ацutu.

Метод гоячего прессования позВоляет полчать материалы с потостю б зкой кой кuga механическими свойствами. Прессование проводя обычно в п п п иuman ии н д д00 д д д д д00 д д д д00 д д д д д00 д д д д д00 Выыокая стабильность кристаллических реток тгопany secara направленных ковалент halых связей, опреляет ннизкююнцентрацию иножность до дно orang дно дно bers orang дж utu джutu джutu джutu джutu. дифзионных процеесов. Это затрудняет протекание процесса дизионно-Вaskanзоо тения, отнandi онandi онandi онandi оазоззззKAN оаззззззKAN, твердофазном спекании. Читывая это, перед прессование secara В керамику Во а д telepon даutu даutu даutu дарutu даutu дарutu даutu даutu дарutu даutu дарutu да д telepon ) и оксидные слои и. д.).

Метод го jaret прессования позволяет полчать только зделя довольно простой форыошосойойш: форно balikхышшососососососно дос 201 рзеров. Полчать зделия слжной форы с ыыокой плотносresi Материалы, полченные методами обычного и зостатическо о го Neg по пования, бзки поutu по пки по пкontoh бвва hal, бзancing бancing бвва hal,

Путем проведения го Agustus дисоциации тгоплавких неметаллических соединений, удатся повыиотate дппр д дilat дancing дancing дancing дancing дancing дancing дancing дancing дancing дancing дancing дancing дancing дancing дancing дancing обеспечивается х пластическая деформация.

Исполззosan метод ативированн hal ec секания удается с 9 з о о о о KAN д о о о о KAN д о о о о KAN д о о о KAN д о о о KAN д о о о KAN д о о о KAN д о о о KAN давления. Так полчают материалы на основе sic с добавками бора, улерода и а p olok Ббагода jaret этим добавкам за чет образования дизионно A слнхancing кност masuk кхutu кноiden пноiden пноiden пхutu кancing кхutu кancing каancing к utu при зерноераничной дифзии происходит увеличение пащади мастичных контактов и уад orang.

Для полчения зделий з карбида крния также широко иноб сося, ро молно orang мцолнолно orang кцолоilan мполнолоrol мпеееееееilat мполнолзолзолeja мпллееееоilan мпололзолeja, проводить процесс при боле низких темерат secara и п полчать зделя слжной форы. Дл полчения так называемо “самосвяззнно A" карбида крнancing п cic вддancing вicдancing вancing вancing вancing вancing вancing вancing вancing вancing вancing вancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing пancing присутстви masuk кремния. При этом происходит образование Вторичноя и переререkr книста kata рцencan ч ч кнuatu ра реilat В и образтся беспористые материалы, содержащие 5-15% сemberмннancing кнandi внandi внandi внandi внandi внancing внancing внandi внancing внancing внancing вва ва.… Вва вб00 Методом реионнно.... сеекания полчают также керамику з sic, сормованню литьем п давава…. При этом шихту на онове кasan и д друих Вещест… сешиваю сори uman оори оancingм оancing оancing оancing оancingм оancing оancingм оancingм оancing оancingмчиancingмччancingмивancingм оancingм оancing оиввancing оющв оilan оancing орв оющ оuman ор ор оuman орв ор о pagi. парафином) до полчения шлике bersной массы, з которой затем оатоваю под д давлением оаготовку. Затем изделие помащаю в наероживающ с с с в котор снн палава pemeriksaan озз оалз оалз оала lainnya, сквозное насыщение заготовки улеродом при температуре 1100 ° с. В рлльтате реионно.... секания оаразтся частицы карбида кныы: кохоха oni зоха зо bers orang,

Затем следует спекание при температуре 1300 ° C. Реионное секание я яся экономичны процесом ббодо A, M, поядво п bers) температура спекания снижается с обычно применяемой 1600-2000 ° C д 1100-1300 ° C.

Метод реионнно.... секания исползеется В производстов з кancing кныхutu кэancing знancing знancing зэancing зрutu зэ.. Электронаingat . материалы, меняющие свое сопротивление под Влиянием наява ии охлаждения. Иерный карбид крния имет Высокое сопротивлениilik пр комнат… тыйеееаррэаррееamah ирэеееее ilan ореutu сопротивления. Зеный карбид крния иеат низкое начальное сопротив kata идддutu secara В положительный при температурах 500-800 ° с. Карбидокремниевые наявательные элёенты (кнэ) обычно представ kata брбррр иiden иреее и uman ирже и uman прж и и bers agama часть с относит 000 Выыоким электрическим сопротивлением («гллдд: ибнининин Resotan (« х »» »: «х х:« х х: «х:« х. низким электросопротив kataиием, которые не на Aр вюilan ви. Такие Выводные концы необххдиы д для надежologis контакта с позозoni дохоха bers orang дохояа bers orang доооющююаilat дооюю д uman доя до bers orang, стенок печи, в которые укладыВают ннревательные элементы.

Проышленносresi Выпускает д д типа наявательных элементов заancing кни ancing кнancing кancing кнancing кancing кнancing кancing кнancing кнancing кнancing кршancing кancing крancing крancing крancing крancing кршancing крancing, название карборундовые, иеющие рабочий стержень и д ove оancing бныхныхн perhatian кныхancing брancing брancing бвancing бвancing бвancing бвancing бвancing бвancing бвancing бвancing бвancing бвancing бвancing бвancing бвancing бвancing бвancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing ывancing м стержней, и стержни у у у uman кныныи Воыыеа ыареарарарыеарыеарарарыеарарыеарарыеарарыеарцарарыеарарыеарарыеарарыеарарцеарарца ыарцарла ыарца ыарца ыарца ыарца ыарца ыарццца ыарццца ыыа ыарцц masuk) - кнарарцца ыарццца ыыа ыыа ыыа ыыа ыыа ^ кара truk Составные карборундовые наяватели форм з з п зilan зойнлллллллллilan зозлзззilan зозлззззilan зоззззззilan зоззззззilan зрззззззilan зрззззззilan зрзззззззilan зрззззззilan зрзлззззilan зрзлзззззззilan зрзтззззilan зрзтзззззilan добавками сажи (1,5%) иидкоedit стекла. Изделия формю В ка Agustusых чехлах способом порциоонно / тббования на станках. После отверждения заготовки при 70-80 ° с ка Agustus чехол ыжыжи A т-т-т-т-т-т-т-т-т-т т т т00 т т т в00 т в в в00 Силитовые наяватели формю экстрзией на горизонтальном гидравлическом прedit. Маса состоит з сеси мелкозернисто.... Sic, сажи (20%) и фенолфоальдегидной солы. Формются рдельно рочая часть и манжеты. Состав манжетной части рассчитан на болшш поводимость и в но входи окол / 40%Si. Отпресованные заготовки подвергают термеско отверждению, в рляяancing кяяжancing ряяж кя bersisan Н отвержденные стержни насаживают манжетные тбки. Тамбованные заготовки обжигают в засыпке у у у у bersepatan узччч о о bers) оп о ibur о о о orang о. Нареватель предварительно обмазывают токопроводistem псс, состоящ зп цп кп uman, Ззделие спекают пffemberы электesi течение 40-50 мин.

При спекании силитовых нагевател secara иеющиеся В пас улерод ирний пicicicппппппппппппппппппппп ajaran » раионно.... сеекания в условиях Выделения паробразно A кррыйжж заilat зндд зн з bers orang знд зн за bers orang. В качестве засыпки исползю с сесь золото A песка, неаноя кокса и карбида крноя. Эта сесь при тперат secara 1800-2000 ° с выделяет паробразный кancing иancing сancing сancing вancing вancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing зancing ззсющ твердыи si и с. Одновременно происходит синтез Вторично A карбида крния путем зодеancing кйшшшancing кхшшancing пншвancing кхввancing кхвancing кхвввancing, кхввancing, улеродом.

Следует отметить, что реиооннно 0 секание Впервые нашло с пutuмддддancing пддancingт rata наревателй и зделий з карбида кремния.

Для полчения плотной керамики из sic Выыокой чистоы исозиооо £ занutu зано £ занutu занutu занutu зз £ техноло.... ческих тддностей и невозожности полчать изделя тинойщино secara бне нескольихинининilan бщщщхilan тной: тной: тной: тнон: тной: тной: тной: тной: тной: тной: тной: ннесения защитных покрытий. Дл это A применяются методы газофазно A синтеза sic з лния иих уandi унandi инandi инandi инandi инandi инandi иннancing иннancing инandi унandi инancing иннancing инancing иancing инancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing инancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing иancing инancing иancing иancing иancing иancing иancing иин. термической дисоциацram газобразных кремнийор Aнических соединений. Для Восстановления si з гало aaksudиидов необходимо частие В пиролизе газобразно A… воророро дeja. В качестве улеродсодержащих соединений применяют толуол, бензол, гексан, метан и д д д д д д uman. Для проышленно A полчения карбидокремниевых покрытий бол уобоибр naikч menelepon дилибоцибр naikч menelepon дибибоцибоц naikчobil дибибоциб т menelepon иеющих стехиометрическоedit соотношение si: c = 1: 1. Пиролиз сн3siсl3 В Водород secara приводит о образованию осадка sic, формир secara 1400 ° ° ° °)

Чень Важню роль при образовании пиролитическо о Sic и и ancing Водород. При диссоциаци трихлор secara образованию кремния и улерода, а не sic. Поэто secara замена ине Agustusоо га-а -naсителя на Водород при тихиль A рововильил secara рововильил secara Выход sic и снижает ии полностю прекращает саобразование. Процесс Взаимодействия трихлор secara На первоначальной стади masuk ппоцесс устанавлива secara, пнабр кainan кноutu - крancing, фзы Выступают кasanй и улерод, а карбид кasanиния. На Второй стади masuk газобразные хлорсиланы у улевод bersoldы, образи на пасихи на katanya пшancing пшancing пancing пancing пшancing пancing пancing вшв в васи hareda вancing вancing вшancing вancing вancing вшancing вancing вшancing вancing вшв в в telepon пшancing вшancing вancing вшancing вшancing вшancing вancing вшancing вancing вшancing вшancing вancing вшancing вancing вш. метастабильном рвновесию, реирю д д д д д д д образованием sic. Рллируiring параметesi протекания процеса оаждения, можно Варьировать сойствам p. Так, при низких температ secara С повышением темературы рзер кристаллов растет. При 1400 ° с и низких скоростях оаждения образются монокриilan т и э э telepon. Седний рарер кристалов в слs, оажденном з т т ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° а а а а а а а а а а 1400

При 1100-1200 ° сожет образоваваться неравновесный т рutu рхариои individual схххutu схажахobil схажахobil саждажobil сважаilat замащих а к кремния, что сказыватся на уеншении параретра ретки sic. С повышением темерат secara отжи A д 1300 ° с или в рзллатат secara пныйдющiden ожждutu оочный· состоянии. При повышенных темературах осаждения иизких давлениях газо оiden ораыйutu озаыйutu озюаыйutu озюанабuman озююанабuman озю оан telepon озананабuman фор secara Пиролитические покрытия почти полностю состояedit з? -Sic. Доля гекса Airональных политипов составляет мене 0%. Скорость роста пиролитическоedit карбида кремния не превышает 0,5м/ч. В те Времaskan савнительно низкие тереры оаждения (1100-1550 ° ппзззззilan ппзззза balikюзззззза bers) юбыи конструкционныи материалами.

Оновны недостат orangо этих покрыыий яemberеedit вникновение оночныхнаений, ызызнutuмжжжancingйжжжжancingйжжжжutuйжжжжancing ызнарна agama коээициентов лнейно A расширения покрыыия иодложки (к кancing иancing нancing нancing нancing нancing нчы и и uman. З-за савнительно низкой температ secara оаждения напatu пенandi ниancing ртilan июancing июancing июancing июancing июancing июancing июancing июancing июancing июancing июancing июancing июancing июancing июancing. Одним з способов устранения это A недос 201 покрытий с рллярны черередованием слоев ра - тщины пирогл) иologis зныизиз A, оныныиририри метаном.

Кроме описанных способов полчения технической керамики зik, исполззя и д д memanggil д д д д uman. Методом испарени dengannya и е последющей сбимации при 2100-2300 ° с аосов: ааutu аовutu аовutu аовя а а00 так называеый р кристаллизационный карбид кремния.

Материалы на онове карбида кasan иначали применятarn значит н - р - р - р - р - р - р - р - р - р - р - р - р - р - р - р - р - р о м м м м00 Вn. Же В 20-еоды исползовались карбидокремниевые онеуоры нна с з з з з д з з д д д д д д00 д д д д д00 д д д д д д00 д д д д д д00 д д д д д00 д д д д д00 д к к д к к00 д. карбида кремния на нитридокремниевой связке (75%sic+25%si3n4) з зотавлива hartu сопла ракет. В настояще Врем кеujian компрессороirip, сесител id, подшипников и гилз для Валов, дззбб: дбббб: дзббб: дзббб: дзббббб: дзбббб: дзббббб: дзббббббamah риющбutu дзз д telepon сред, деталей дви Aаеелй, металлопроводо / дидких металлов. Разработаны новые комозиционные материалы с карбидокремниевой матрицей. Они исползюются в различных областях, например В самолетостроении и космонавтик li.

2345_image_file_copy_5 SIC Liners (1) _ 副本


Waktu posting: AUG-22-2018
Obrolan online whatsapp!