Teknologi

1. KEUNGGULAN REAKSI SILIKON KARBIDA TERIKAT

Produk Reaction Bonded Silicon Carbide (RBSC, atau SiSiC) menawarkan ketahanan terhadap kekerasan/abrasi yang ekstrim dan stabilitas kimia yang luar biasa di lingkungan yang agresif. Silicon Carbide adalah bahan sintetis yang menunjukkan karakteristik kinerja tinggi antara lain:

akuKetahanan kimia yang sangat baik.

Kekuatan RBSC hampir 50% lebih besar dibandingkan sebagian besar silikon karbida terikat nitrida. RBSC adalah keramik dengan ketahanan korosi dan antioksidan yang sangat baik.. Dapat dibentuk menjadi berbagai nosel desulfurisasi (FGD).

akuKetahanan aus dan benturan yang sangat baik.

Ini adalah puncak dari teknologi keramik tahan abrasi skala besar. RBSiC memiliki kekerasan yang tinggi mendekati berlian. Dirancang untuk digunakan dalam aplikasi untuk bentuk besar di mana silikon karbida tingkat tahan api menunjukkan keausan abrasif atau kerusakan akibat benturan partikel besar. Tahan terhadap hantaman langsung partikel ringan serta benturan dan abrasi geser padatan berat yang mengandung slurry. Ini dapat dibentuk menjadi berbagai bentuk, termasuk bentuk kerucut dan selongsong, serta potongan rekayasa yang lebih kompleks yang dirancang untuk peralatan yang terlibat dalam pemrosesan bahan mentah.

akuKetahanan guncangan termal yang sangat baik.

Komponen silikon karbida terikat reaksi memberikan ketahanan guncangan termal yang luar biasa tetapi tidak seperti keramik tradisional, komponen ini juga menggabungkan kepadatan rendah dengan kekuatan mekanik yang tinggi.

akuKekuatan tinggi (mendapatkan kekuatan pada suhu).

Silikon karbida berikat reaksi mempertahankan sebagian besar kekuatan mekaniknya pada suhu tinggi dan menunjukkan tingkat mulur yang sangat rendah, menjadikannya pilihan pertama untuk aplikasi penahan beban pada kisaran 1300ºC hingga 1650ºC (2400ºC hingga 3000ºF).

1. Lembar Data Teknis

Lembar Data Teknis	Satuan	SiSiC (RBSiC)	NbSiC	ResiC	SiC yang disinter
		Silikon Karbida Berikat Reaksi	Silikon Karbida Berikat Nitrida	Silikon Karbida yang Dikristalisasi Ulang	Silikon Karbida Sinter
Kepadatan massal	(g.cm3)	≧ 3.02	2.75-2.85	2,65~2,75	2.8
SiC	(%)	83.66	≧ 75	≧ 99	90
Si3N4	(%)	0	≧ 23	0	0
Si	(%)	15.65	0	0	9
Porositas Terbuka	(%)	<0,5	10~12	15-18	7~8
Kekuatan lentur	MPa / 20℃	250	160~180	80-100	500
	MPa / 1200℃	280	170~180	90-110	550
Modulus elastisitas	IPK / 20℃	330	580	300	200
	IPK / 1200℃	300	~	~	~
Konduktivitas termal	W/(m*k)	45 (1200℃)	19,6 (1200℃)	36,6 (1200℃)	13,5~14,5 (1000℃)
Konfisien ekspansi termal	Kˉ1 * 10ˉ6	4.5	4.7	4.69	3
Skala kekerasan Mons (Kekakuan)		9.5	~	~	~
Suhu kerja maksimal	℃	1380	1450	1620 (oksida)	1300

1. Kasus IndustriUntuk Reaksi Silikon Karbida Berikat:

Pembangkit Listrik, Pertambangan, Kimia, Petrokimia, Kiln, Industri Manufaktur Mesin, Mineral & Metalurgi dan sebagainya.