Silisyòm carbure travès

Deskripsyon kout:

Reyaksyon Bonded Silisyòm Carbide High Strength High Straightness Sisic / Rbsic Woulo ak Travès Reyaksyon SINTERING Silisyòm Carbide seramik roulo se sitou itilize pou endistri batri ityòm, porselèn chak jou, porselèn sanitè, seramik bilding ak materyèl mayetik, tankou au roulo, segondè tanperati boule ak ideyal. fou, ak yon lavi sèvis long. Li gen fòs tanperati ki wo, rezistans chòk tèmik, rezistans ranpe tanperati ki wo, rezistans fò, bon rezistans mete ....


  • Pò:Weifang oswa Kendao
  • New Mohs dite: 13
  • Prensipal matyè premyè:Silisyòm Carbide
  • Pwodwi detay

    ZPC - Silisyòm carbure seramik manifakti

    Tags pwodwi

    Reyaksyon Bonded Silisyòm Carbide Segondè Fòs Segondè Dwattye Sisic / Rbsic Woulo ak Travès

    Reyaksyon SINTERING Silisyòm carbure seramik roulo se sitou itilize pou endistri batri ityòm, porselèn chak jou, porselèn sanitè, seramik bilding ak materyèl mayetik, tankou au roulo, boule tanperati ki wo ak fou ideyal, ak yon lavi sèvis long. Li gen fòs tanperati ki wo, rezistans chòk tèmik, rezistans ranpe tanperati ki wo, rezistans fò, bon rezistans mete. nan de - kouch roulo au ak lòt chaj endistriyèl gwo founo dife - kote yo pote estrikti nan ankadreman.

    Klib aplike nan chak jou - itilize seramik, porselèn sanitè, Seramik bilding, materyèl mayetik ak zòn tire tanperati ki wo nan au roulo.

     

    Silisyòm Carbide pwodwi spesifikasyon:
    Atik Inite SSIC RBSIC SISIC R-SIC
    Pite (%) ≥ 99 ≥90% ≥ 99
    Tanperati aplikasyon an ºC 1700 1380 1650
    Dansite g/CM2 ≥3.10-3.15 ≥3.02 2.65-2.75
    Louvri porosite % ≤0.1 ≤0.1  
    Dite   ≥92 HRA 2400 Kg/mm2 1800-2000 Kg/mm2
    Fòs koube MPa 400-580 250 (20ºC) ≥300
    281(1200ºC)
    Fòs rupture Mpa ≥200 ≥190  
    modil elastisite GPa 400 332(20ºC) 80-100 (20ºC)
    300 (1200 ° C) 90-110 (1200ºC)
    Kondiktivite tèmik W/mk 100-120 45 (1200ºC) 36
    Koefisyan ekspansyon tèmik K1X 106 4.2 4.5 4.6
    Rigidité Gpa > 25 13  
    Asid & Ikali rezistans   Ekselan Ekselan Ekselan

     

    SiC pwodwi spesifikasyon:
    Atik Inite OC-1 OC-2 MC-3
    SiC (%) ≥90 ≥86 ≥80
    Aparan porosite (%) ≤10 ≤13 ≤16
    Dansite g/CM2 ≥2.66 ≥2.63 ≥2.6
    Tanperati aplikasyon an ºC ≥1680 ≥1620 ≥1550
    Koefisyan ekspansyon tèmik aX 10-6/ºC ≤4.8 ≤5.0 ≤5.5
    Fòs koube 1200ºC ≥45 ≥40 ≥30

    Travès (2)_


  • Previous:
  • Pwochen:

  • Shandong Zhongpeng espesyal Seramik co, Ltd se youn nan pi gwo Silisyòm carbure seramik nouvo solisyon materyèl nan Lachin. SiC teknik seramik: dite Moh a se 9 (dite New Moh a se 13), ak ekselan rezistans nan ewozyon ak korozyon, ekselan fwotman - rezistans ak anti-oksidasyon. Lavi sèvis SiC pwodwi a se 4 a 5 fwa pi long pase 92% materyèl alumina. MOR nan RBSiC se 5 a 7 fwa SNBSC, li ka itilize pou fòm pi konplèks. Pwosesis la sitasyon rapid, livrezon an se jan yo te pwomèt la ak bon jan kalite a se dezyèm a okenn. Nou toujou pèsiste nan defi objektif nou yo epi remèt kè nou bay sosyete a.

     

    1 SiC seramik faktori 工厂

    Pwodwi ki gen rapò

    Chat sou entènèt WhatsApp!