Paramèt teknik pwodwi ak tablo
Paramèt teknik nan tib SiSiC Silisyòm carbure / siklòn sic siklòn mete revètman touf:
| ATIK | INITE | DONE |
| Tanperati | ºC | 1380 |
| Dansite | g/cm³ | ≥3.02 |
| Porosite Ouvè | % | <0.1 |
| Echèl dite Moh la | 13 | |
| Fòs koube | MPa | 250 (20ºC) |
| MPa | 280 (1200ºC) | |
| Modil Elastisite | GPa | 330 (20ºC) |
| GPa | 300 (1200ºC) | |
| Konduktivite tèmik | W/mk | 45 (1200ºC) |
| Koyefisyan ekspansyon tèmik | k-1×10-6 | 4.5 |
| Asid alkalin-prèv | Ekselan |
K: Èske ou se yon konpayi komès oswa yon manifakti?
A: Nou se faktori.
K: Kijan pou kòmande tib seramik Silisyòm karbid?
A: 1) Premyèman, tanpri di nou gwosè a ak kantite a an detay. Apre sa, nou pral revize tout detay yo. Apre sa, nou pral fè PI a (fakti Proforma) pou ou pou konfime lòd la. Yon fwa ou fin peye, nou pral voye machandiz yo ba ou pi vit posib.
2) Pou pwodwi pèsonalize, tanpri voye nou desen ou epi di nou demann ou an detay. Apre sa, n ap kalkile pri a epi voye yon sitasyon ba ou. Apre ou fin konfime lòd la epi ou fin fè aranjman pou peman an, n ap pouse pwodiksyon an gwo epi voye machandiz yo ba ou pi vit posib.
K: Poukisa chwazi ZHIDA kòm founisè?
A: 1) Manifakti serye ak pwofesyonèl.
2) Enstalasyon avanse ak anplwaye kalifye.
3) Tan livrezon rapid.
4) Sèvis ak satisfaksyon kliyan se premye priyorite nou.
K: Konbyen tan livrezon ou an ye?
A: Anjeneral, li pran 1-2 jou si machandiz yo an stock. Epi 35 jou pou kòmand konsepsyon pèsonalize, selon kantite kòmand lan.
K: Ki kote mache prensipal ou a ye?
A: Nou te ekspòte nan USA, Kore, UK, Lafrans, Larisi, Almay, Lend, Espay, Brezil elatriye, jiskaprezan, gen anviwon 30 peyi nou te ekspòte, nou jwenn tou bon repitasyon nan men kliyan nou yo.
K: E pakè a?
A: Nou pake ak papye plastik ki gen ti wonn, bwat katon, answit bwat an bwa ki an sekirite deyò, nou ka kontwole kraze a mwens pase 1%
Dat piblikasyon: 7 janvye 2021