सामान्यकी व्याख्याप्रतिक्रियाबंधुआ SiC
रिएक्शन बॉन्डेड SiC में यांत्रिक गुण और ऑक्सीकरण प्रतिरोध होता है। इसकी लागत अपेक्षाकृत कम है. वर्तमान समाज में, इसने विभिन्न उद्योगों में अधिक से अधिक ध्यान आकर्षित किया है।
SiC एक बहुत मजबूत सहसंयोजक बंधन है। सिंटरिंग में प्रसार दर बहुत कम होती है। साथ ही, कणों की सतह अक्सर एक पतली ऑक्साइड परत से ढकी होती है जो प्रसार अवरोधक की भूमिका निभाती है। शुद्ध SiC को सिंटरिंग एडिटिव्स के बिना मुश्किल से सिंटर किया जाता है और कॉम्पैक्ट किया जाता है। भले ही गर्म-दबाने की प्रक्रिया का उपयोग किया जाता है, इसमें उपयुक्त योजक का चयन भी करना होगा। केवल बहुत उच्च तापमान पर, सैद्धांतिक घनत्व के करीब इंजीनियरिंग घनत्व के लिए उपयुक्त सामग्री प्राप्त की जा सकती है जो 1950 ℃ से 2200 ℃ तक की सीमा में होनी चाहिए। साथ ही, इसका आकार और आकार सीमित होगा। यद्यपि एसआईसी कंपोजिट वाष्प जमाव द्वारा प्राप्त किया जा सकता है, यह कम घनत्व या पतली परत सामग्री तैयार करने तक सीमित है। इसके लंबे समय तक शांत रहने के कारण उत्पादन की लागत बढ़ जाएगी।
रिएक्शन बॉन्डेड SiC का आविष्कार 1950 के दशक में पॉपर द्वारा किया गया था। मूल सिद्धांत है:
केशिका बल की क्रिया के तहत, प्रतिक्रियाशील गतिविधि के साथ तरल सिलिकॉन या सिलिकॉन मिश्र धातु कार्बन युक्त छिद्रित सिरेमिक में प्रवेश करती है और प्रतिक्रिया में कार्बन सिलिकॉन बनाती है। नवगठित सिलिकॉन कार्बाइड को मूल सिलिकॉन कार्बाइड कणों से सीटू में जोड़ा जाता है, और भराव में अवशिष्ट छिद्रों को घनत्व प्रक्रिया को पूरा करने के लिए संसेचन एजेंट से भर दिया जाता है।
सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक की अन्य प्रक्रियाओं की तुलना में, सिंटरिंग प्रक्रिया में निम्नलिखित विशेषताएं हैं:
कम प्रसंस्करण तापमान, कम प्रसंस्करण समय, विशेष या महंगे उपकरण की कोई आवश्यकता नहीं;
प्रतिक्रिया बिना किसी सिकुड़न या आकार में परिवर्तन के बंधे हुए हिस्से;
विविधीकृत मोल्डिंग विधियाँ (बाहर निकालना, इंजेक्शन, दबाना और डालना)。
आकार देने की और भी विधियाँ हैं। सिंटरिंग के दौरान बिना दबाव के बड़े आकार और जटिल उत्पाद तैयार किए जा सकते हैं। सिलिकॉन कार्बाइड की रिएक्शन बॉन्डेड तकनीक का अध्ययन आधी सदी से किया जा रहा है। यह तकनीक अपने अनूठे फायदों के कारण विभिन्न उद्योगों का फोकस बन गई है।
पोस्ट समय: मई-04-2018