Карбид кремния (карборунд) SiC является единственным соединением кремния и углерода. В природе этот материал встречается крайне редко. કાર્બિડ ક્રેમનિયા સ્યુશેસ્ટવ્યુએટ в двух модификациях, из которых ?-модификация является политипной и представляет модификациях структуру гексагональной формы. Установлено около 20 структур, относящихся к гексагональной форме карборунда. Переход ?-SiC>?-SiC происходит примерно при 2100°С. При температуре 2400°С это превращение происходит весьма быстро. DO температур 1950-2000°С образуется кубическая модификация, при более высокой температуре образуются гекадильская модификация. При температурах свыше 2600-2700°С карбид кремния возгоняется. Кристаллы карбида кремния могут быть бесцветными, зелеными и черными. Чистый карбид кремния стехиометрического состава бесцветен. При превышении содержания кремния SiC становится зеленым, углерода – черным.
કાર્બોરુન્ડ имеет очень высокую твердость: H? до 45ГПа, достаточно высокую изгибную прочность: ?изг до 700МПа. કાર્બીડોક્રેમનિએવાયા કેરામીકા સોહરાન્આયેટ хрупкопластическому разрушению для нее составляет 2000°С. В то же время для самосвязанного SiC наблюдается падение прочности при высоких температурах. При комнатной температуре разрушение самосвязанного SiC TRANскристаллитное и носит характер skola. При 1050°С характер разрушения становится межкристаллитным. Наблюдающеся при высоких температурах снижение прочности самосвязанного SiC вызвано его окислением. Прочность рекристаллизованного SiC с увеличением температуры не уменьшается и, более того, возможно ее увеличением температуры и, более того, возможно ее увеличением температуры, слоя аморфного SiO2, который залечивает дефекты на поверхности и во внутренних слоях изделий.
કાર્બોરુન્ડ устойчив против воздействия всех кислот, за исключением фосфорной и смеси азотной и плавиковой. К действию щелочей SiC менее устойчив. Установлено, что карбид кремния смачивается металлами группы железа и марганцем. Самосвязанный карбид кремния, который содержит свободный кремний, хорошо взаимодействует со сталью.
При изготовлении абразивных и огнеупорных изделий из SiC, а также карбидокремниевых электронагревателей, исходнымилажимилами кремнезем (кварцевый песок) અને કોક્સ. Их нагревают до высокой температуры в электрических печах, осуществляя синтез методом Ачесона:
SiO2+3C=SiC+2CO2 (24)
Вокруг нагревательного элемента (kerna) получается зона синтезированного продукта, а за ней – зоны кристаллов низкойста непрореагировавших компонентов. Полученные в печи продукты разделяют по этим зонам, измельчают, обрабатывают и получают порошок карбичают порошок карбичают порошок карбичают. Недостатком данных порошков карбида кремния являются высокая загрязненность примесями, большое содержание, большое содержание диоакт. спекаемость и др.
Для получения высококачественной конструкционной керамики необходимо использовать высокочистые, гомогенные, гомогенные, всыпогенные SiC, которые получают различными высокотехнологичными способами. При получении порошков методом синтеза исходный металлургический кремний подвергают дроблению и помолу в цельков. Измельченный порошок кремния отмывают от примесей в смеси неорганических кислот и направляют на тонкое измельчейный. વર્ટીકલ્નરી રીએક્ટર. સિંટેઝ SiC осуществляется в реакторе подачей Si в специальные сопла, а вместо сжатого воздуха подается пропан:
t>૧૧૦૦°સે
3Si+C3H8=3SiC+4H2 (25)
В результате получается высокодисперсный, гомогенный, активированный порошок карбида кремния монофракционваннога, высокую степень чистоты.
Изделия из SiC формуют прессованием, экструзией, литьем под давлением.
В технологии карбидокремниевой керамики обычно используют горячее прессование, реакционное и активированное спекание.
Метод горячего прессования позволяет получать материалы с плотностью близкой к теоретической и с высокимичевскими. Прессование проводят обычно в прессформах из графита или нитрида бора при давлениях 10-50МПа и температурах 17002-С. Высокая стабильность кристаллических решеток тугоплавких неметаллических соединений, связанная с наличием жесткинх налических наличием связей, определяет низкую концентрацию и подвижность дефектов решетки, заторможенность в ней диффузионных подвижность. Это затрудняет протекание процесса дифузионно-вязкого течения, ответственного за массоперенос и уплотнение процесса спекании. Учитывая это, перед прессованием в керамику вводят активирующие спекание добавки или проводят физическое активодят физическое активирующие ультрадисперсные порошки, обрабатывают их взрывом для увеличения дефектности, удаляют с поверхности влагу иодин).
Метод горячего прессования позволяет получать только изделия довольно простой формы и относительно небольших размельших Получать изделия сложной формы с высокой плотностью можно методом горячего изостатического прессования. Материалы, полученные методами обычного и изостатического горячего прессования, близки по своим свойствам.
Путем проведения горячего изостатического прессования при высоких давлениях газовой среды (1000МПа), препятхстацицивсию тугоплавких неметаллических соединений, удается повысить температуру процесса до уровня, при котором обеспехачеческая при котором ડેફોરમાસીયા.
Используя метод активированного спекания удается спечь отформованные изделия из SiC до плотности свыше 90% боляжели. Так получают материалы на основе SiC с добавками бора, углерода и алюминия. બ્લાગોડારયા એટીમ добавкам за счет образования диффузионного слоя на поверхности частиц, их консолидации и укряпнозине диффузии происходит увеличение площади межчастичных контактов и усадка.
Для получения изделий из карбида кремния также широко используется метод реакционного спекания, который позволоволя кремния более низких температурах и получать изделия сложной формы. Для получения так называемого "самосвязанного" карбида кремния проводят спекание прессовок из SiC и углерода в пвимистурада. При этом происходит образование вторичного SiC и перекристаллизация SiC через кремниевый расплав. В итоге образуются беспористые материалы, содержащие 5-15% свободного кремния в карбидокремниевой матрице. Методом реакционного спекания получают также керамику из SiC, сформованную литьем под давлением. При этом шихту на основе кремния и других веществ смешивают с расплавленным легкоплавким органическим связуающим ( связуающим) шликерной массы, из которой затем отливают под давлением заготовку. Затем изделие помещают в науглероживающую среду, в которой сначала производят отгонку легкоплавкого связуающего связуающего, насыщение заготовки углеродом при температуре 1100°С. В результате реакционного спекания образуются частицы карбида кремния, которые постепенно заполняют исходные порые.
Затем следует спекание при температуре 1300°C. Реакционное спекание является экономичным процессом благодаря применению недорогого термического оборудовамичным, снижается с обычно применяемой 1600-2000°C અને 1100-1300°C.
Метод реакционного спекания используется в производстве нагревательных элементов из карбида кремния. Электронагревательные сопротивления из карбида кремния представляют собой так называемые термисторы, т. ઇ. материалы, меняющие свое сопротивление под влиянием нагрева или охлаждения. Черный карбид кремния имеет высокое сопротивление при комнатной температуре и отрицательный температурный коэпературный коэфин. Зеленый карбид кремния имеет низкое начальное сопротивление и слабоотрицательный температурный коэффициент, пщперевяйлой коэфициент при температурах 500-800° સે. Карбидокремниевые нагревательные элёменты (КНЭ) относительно высоким электрическим сопротивлением («горячая» зона) и выводные («холодные») концы с более низкимот электрическим сопротивлением નથી нагреваются в процессе эксплуатации печи. Такие выводные концы необходимы для надежного контакта с питающей электросетью, а также для предохранения от предохранения от предохранения от которые укладывают нагревательные элементы.
પ્રમોશનલ имеющие рабочий стержень и два отдельных более коротких контактных вывода в виде пропитанных металлом карбожиных металлом . стержни с утолщенными выводными концами (манжетами) – силитовые нагреватели. Составные карборундовые нагреватели формуют из полусухой массы, состоящей из крупнозернистого порошка зелевкадогиного порошка (1,5%) અને жидкого стекла. આઝડેલીયા ફૉર્મ્યુયુટ કાર્ટોનનых чехлах способом порционного трамбования на станках. После отверждения заготовки при 70-80°С картонный чехол выжигается в трубчатой электропечи при температуре 8000. Силитовые нагреватели формуют экструзией на горизонтальном гидравлическом прессе. Масса состоит из смеси мелкозернистого SiC, сажи (20%) и фенолформальдегидной смолы. Формуются раздельно рабочая часть и манжеты. Состав манжетной части рассчитан на большую проводимость и в него входит около 40%Si. Отпрессованные заготовки подвергают термическому отверждению, в результате которого смола полимеризуется. На отвержденные стержни насаживают манжетные трубки. TRAMBOVANNые заготовки обжигают в засыпке из углепесочной смеси при температуре около 2000°С. Нагреватель предварительно обмазывают токопроводящей пастой, состоящей из кокса, графита и кварцевого песка. Изделие спекают прямым электротермическим нагревом в специальных печах при пропускании через заготовку тока в 80-401-401 મિનિટ
При спекании силитовых нагревателей имеющиеся в массе углерод и кремний превращаются во «вторичный» SiC по механизмовых нагревателей условиях выделения парообразного кремния из засыпки, куда помещают обжигаемый нагреватель. В качестве засыпки используют смесь из молотого песка, нефтяного кокса и карбида кремния. Эта смесь при температуре 1800-2000°С выделяет парообразный кремний и СО, проникающие внутрь заготовки и реавидирь заготовки એસ. Одновременно происходит синтез вторичного карбида кремния путем взаимодействия кремния, содержащегося в шиходержащегося.
Следует отметить, что реакционное спекание впервые нашло свое практическое применение именно в производстве спекание karbida kremnia.
Для получения плотной керамики из SiC высокой чистоты используют также метод осаждения из газовой фазы, но из газовой фазы, но трудностей и невозможности получать изделия толщиной более нескольких миллиметров он применяется для нанесения зыпожности. Для этого применяются методы газофазного синтеза SiC из летучих галогенидов кремния и углеводородов или методородов диссоциации газообразных кремнийорганических соединений. Для восстановления Si из галогенидов необходимо участие в пиролизе газообразного водорода. В качестве углеродсодержащих соединений применяют толуол, бензол, гексан, метан и др. Для промышленного получения карбидокремниевых покрытий более удобен метод термической диссоциации метилхоциации, метилхоциации стехиометрическое соотношение Si:C=1:1. Пиролиз СН3SiСl3
Очень важную роль при образовании пиролитического SiC играет водород. При диссоциации трихлорметилсилана в инертной атмосфере без участия водорода протекают реакции, приводяващие приводящие водорода углерода, а не SiC. Поэтому замена инертного газа-носителя на водород при термическом разложении метилхлорсиланов значительно пововыхалорсиланов или полностью прекращает сажеобразование. Процесс взаимодействия трихлорметилсилана с водородом протекает в две стадии. На первоначальной стадии процесса устанавливается нестабильное равновесие, при котором в качестве конденсированной фазумы углерод, а не карбид кремния. На второй стадии газообразные хлорсиланы и углеводороды, образовавшиеся на первой стадии в концентрациях, отубразные концентрациях, отубразные равновесию, реагируют друг с другом с образованием SiC. Регулируя параметры протекания процесса осаждения, можно варьировать свойствами полученных покрытий. Так, при низких температурах образуются мелкозернистые и метастабильные структуры. С повышением температуры размер кристаллов растет. При 1400°С и низких скоростях осаждения образуются монокристаллы и эпитаксиальные слои SiC. Средний размер кристаллов в слое SiC, осажденном из трихлорметилсилана при 1400°С, равен 1mkm, а при 1800°С–15.
PRI 1100-1200°С может образовываться неравновесный твердый раствор со сверхстехиометрическим содержанием , удержанием замещающих атомы кремния, что сказывается на уменьшении параметра решетки SiC. С повышением температуры отжига до 1300°С или в результате последующего отжига избыточный углерод выделвявявотего состоянии. При повышенных температурах осаждения и низких давлениях газовой среды наблюдается ориентированный рост кристаловерния столбчатой структуры. Пиролитические покрытия почти полностью состоят из ?-SiC. Доля гексагональных политипов составляет менее 5%. Скорость роста пиролитического карбида кремния не превышает 0,5mm/ч. В то же время сравнительно низкие температуры осаждения (1100-1550° સે) કોંસ્ટ્રુકસિઓનનમી મેટેરીયાલામી.
Основным недостатком этих покрытий является возникновение остаточных напряжений, вызванное несоответствием турытий коэффициентов линейного расширения покрытия и подложки (кроме случая нанесения SiC на SiC) અને анизотропией покрытия. Из-за сравнительно низкой температуры осаждения напряжения не релаксируются и покрытия растрескиваются. Одним из способов устранения этого недостатка является получение слоистых покрытий, т.е. покрытий с регулярным чередованием слоев равной толщины пироуглерода и SiC, осажденным из смеси хлорметилсилси хлорметилсим.
Кроме описанных способов получения технической керамики из SiC, используются и другие. Методом испарения SiC и его последующей сублимации при 2100-2300°С без использования связок и активирующей сублимации называемый рекристаллизационный карбид кремния.
Материалы на основе карбида кремния начали применяться значительно раньше, чем материалы на основе Si3N4, АlN, ВинС. 20-е годы использовались карбидокремниевые огнеупоры на связке из диоксида кремния (90%SiC+10%SiO2-50%), карбида кремния на нитридокремниевой связке (75%SiC+25%Si3N4) изготавливали сопла ракет. В настоящее время керамика на основе карбида кремния применяется для изготовления уплотнительных колец для насопосов, смесителей, подшипников и гильз для валов, дозирующей и регулирующей арматуры для коррозионных и абразионных и абразионных двигателей, металлопроводов для жидких metallov. Разработаны новые композиционные материалы с карбидокремниевой матрицей. Они используются в различных областях, например в самолетостроении и в космонавтике.
પોસ્ટ સમય: ઓગસ્ટ-22-2018