.

. . . . Остановлено около 20 структур, отосящся к гексаональной ф ф ф ф ф ф ф ф ф ф ф ф. Переход? -Sic>?-sic происходит примерно п 2100 ° с. . . . . . . .

К о и чень ыень ысокюю тердость: એચ? 45 45�па, достаточно ыысокюю згибнюю прочность :? зœ до 700мпа. Карбидокремниевая керамика сохраняет примерно постоянную прочность до высоких температур: температура перехода от . . . . . Прочность рекристаллизованного SiC с увеличением температуры не уменьшается и, более того, возможно ее увеличение, .
. К йействю щелочей sic мстойчв. . .

. . .

Sio2+3c = sic+2co2 (24)

Вокруг нагревательного элемента (керна) получается зона синтезированного продукта, а за ней – зоны кристаллов низкой . Полученные в печи продукты разделяют по этим зонам, измельчают, обрабатывают и получают порошок карбида кремния н назения. . .

. . . мельнце. . . Снтез sic оествляется в

t> 1100 ° с

3SI+C3H8 = 3SIC+4H2 (25)

. .

.

.

. . Прессование проводят обычно в прессформах из графита или нитрида бора при давлениях 10-50МПа и температурах 1700-2000°С. . . д фદો процесов. Затрудняет протекание процесса д ф д дરું . Учитывая это, перед прессованием в керамику вводят активирующие спекание добавки или проводят физическое активирование (лльтрадисперсные порошки, о ь ь ь о аિયું а з з в в Xૂત у в в в а а а а а а а а ф а фંસ, .

. размеров. . .

. . .

Используя метод активированного спекания удается спечь отформованные изделия из SiC до плотности свыше 90% без приложения вавления. . . .

. . . . . . . . . З зделие помещают в н н г ауглерожвающвю с с к о о о п у у л а ач у е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е е а а а е е е е е е е. нвозное насыщение заготовки углеродом три тературатуре 1100 ° с. .

Зате્લા следует секание при тературатуре 1300 ° સે. Реакционное спекание является экономичным процессом благодаря применению недорогого термического оборудования, .

. Электронагревательные сопротивления из карбида кремния представляют собой так называемые термисторы, т. е. . Черный карбид кремния имеет высокое сопротивление при комнатной температуре и отрицательный температурный коэффициент сротивления. Карбид кремния имеет начальное сачальное сотивление с с с с ц е э ф ф э ф э э фઠ к э фઠ э э эઠ э фઠ ф эઠ ф эઠ э эઠ э фઠ э эઠ э фઠ э эઠ э фઠ э эઠ э эઠ фыйый . Н а и и и ь ь ь ьંસ элёменты (кнэ) о о оિયું о о и и и т о а, часть с относительно высоким электрическим сопротивлением («горячая» зона) и выводные («холодные») концы с более . . .

. . . Сарборундовые нагреватели ф фзюю . . . . . . . О гаготовки подверિન ю т ч ческо у о оержеско< отвержденю, р р р ь ь ь ાનું п п п п п п п ાનું. . . . . 40 40-50 мн.

. реекания в условиях ыделения паро્રોત п у з аы щ ж ж ж ж аы ж ж ж ж ж ж ж ж ж щ щ щ щ ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж щ ж щ щ щ щ щ щ ж ж ж ж ж щ щ щ щ ж щ ж ж ж у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у у аિસ્ટ. . . . . углер ધ્યાન.

. .

. . нанесения защтных покрытй. . . . . . . Пиролиз СН3SiСl3 в водороде приводит к образованию осадка SiC, формирующего покрытие при температурах до 1400°С.

. . . Поэтому замена инертного газа-носителя на водород при термическом разложении метилхлорсиланов значительно повышает . . . . . . Рараметры протекания процесса ороцесса осаждения, можно варьровать с п п п п п п ાનું п п ાનું п о п ાનું п ાનું п ાનું п ાનું п ાનું п બધી . . При 1400°С и низких скоростях осаждения образуются монокристаллы и эпитаксиальные слои SiC. Размер кристаллов в слое sic, о з з т т т х ાનું х ાનું х ાનું 1400 ° с, а а а а а а а а а а а а а а а а а а а а а а.

П 1100-1200. . . состояни. . . . . . . .

Основным недостатком этих покрытий является возникновение остаточных напряжений, вызванное несоответствием температурных . З- савнительно нз тературы осаждения напряжения не р р и и п ભા п п п п и и и и п п બધી . покрытий с регулярным чередованием слоев равной толщины пироуглерода и SiC, осажденным из смеси хлорметилсилана с метано્લા.

. . .

. Вn. Уже в 20-е годы использовались карбидокремниевые огнеупоры на связке из диоксида кремния (90%SiC+10%SiO2), а в 50-е годы из . . компрессоров, смесителей, подшипников и гильз для валов, дозирующей и регулирующей арматуры для коррозионных и абразивных . . .