Silicon Carbide is available in two forms, reaction bonded and sintered. For more information on these two processes please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Ambos os materiais son ultra-duro e teñen unha alta condutividade térmica. Isto levou a que se utilizase o carburo de silicio nas aplicacións de rolamento e selo rotatorio onde a maior dureza e condutividade mellora o rendemento do selo e do rolamento.
O carburo de silicio unido á reacción (RBSC) ten boas propiedades a temperaturas elevadas e pódese usar en aplicacións refractarias.
Os materiais de carburo de silicio presentan boa erosión e resistencia abrasiva, estas propiedades pódense utilizar en diversas aplicacións como boquillas de pulverización, boquillas de explosión e compoñentes de ciclóns.
Beneficios e propiedades clave da cerámica de carburo de silicio:
l Alta condutividade térmica
l Coeficiente de expansión térmica baixa
l Resistencia ao choque térmico destacado
l Dureza extrema
l Semiconductor
l Índice de refracción maior que un diamante
For more information on Silicon Carbide Ceramics please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Produción de carburo de silicio
O carburo de silicio deriva de po ou gran, producido a partir de redución de carbono da sílice. Prodúcese como po fino ou unha gran masa unida, que logo é esmagada. Para purificar (eliminar a sílice) é lavado con ácido hidrofluórico.
Hai tres xeitos principais de fabricar o produto comercial. O primeiro método é mesturar en po de carburo de silicio con outro material como o vidro ou o metal, isto é tratado para permitir que a segunda fase se enlaza.
Outro método é mesturar o po con carbono ou po de metal de silicio, que logo está unido á reacción.
Finalmente, o po de carburo de silicio pode ser densificado e sinterizado mediante a adición de carburo de boro ou outra axuda de sinterización para formar cerámica moi dura. Cómpre salientar que cada método é adecuado para diferentes aplicacións.
For more information on Reaction Bonded Silicon Carbide Ceramics please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Tempo de publicación: xul-16-2018