Керамика на основе кхНическая керамика

Карбид Кремния (Карорунстстphения углерода. В природе этот материал Встрется крайне редке редке редко. Карбия Кремния СущЕТ дифкиифПред представлят Собой Сложgую структуру гексагональной Формы. Установлено околооло 20 струкьсагональной Форме Карунорунда. Переход? -Sic>? - sic проит примерно примери ° с. При Температур00 ° э э то превращениGе проит icесьма бNстро. До Температур 1950-0-2000 ° Сбразу Мысесаксагональные Модификации. При Температурах Свы (2600-2700 ° С кремния Возгоняannся. Кристаллы КАарбида Кремния Могут бесцетми и черными. Чистый Карбия кремния стехиометричестава бесцветен. При прении содемржемния кремовится становится сглерода - черным.

Карбборунд имет очень Высокую тсть: h? до 45гпа, достаточно Высокую прость:? изгпа. Карбидокремниевая керамика сохраняет примерно постоянную прочность до высоких температур: температура перехода от хрупкого К Крупк хтическому раому разруRе сля В То время для самосвязаного Sic НАбетсоких Температурах. При Комнатной Температуре разитное и Носакактер скола. При 1050 ° с характер разрушения становится Межкритнм. НАблюдаюю cuin пяи высоких снижанно его О тано О зано О тано О еано О еанием. Прочность рекьстализованодету Не увеличение, Связаное с Образованием ффННТ пефенних слоях.
Карборуничив против всвием ф ЕНЕси а отной и и и плавиккойк. К действию щелочей sic менене устойчив. Установлено, icто Карбия смачиваетсяпрупруами Грелела и марганцем. Самосвяаннй Карбия,, Которемодствует со Сталью.

При изГОТовленииВНТх огниевателей, исхáillдными Материалами Служат кремнеремнезем (кварццrый песок) и кок) и кок) и кок) и кок) и кок) и Кок). Их Нагревают до высоколсатурических Петодом Ачесона:

Siorr2 + 3c = sip + 2co2 (24)

Вокруг Нагревательного элерна) прованодукаа, аоны кей - зоалллов Низкко чистоты и Непро Eреагировавших компненттов. Полученные печукамают и получа карбия общего назначения. Недостатком данных Поро 8ков кари, бодерерание диоксида Кремния, плохая Пекаемость и др.

Для получения высококачественной конструкционной керамики необходимо использовать высокочистые, гомогенные, Высокодисперсные поро, Кототехнчныulи способами. При получении Поро Метеза кеталлу пргийт дргийт дргийт дргиют дргиют дргийт дргию и пом валккккккккккккккккккккккккккккккккккккккккккккковой Мельнице. Имельченный Порошмеских НАНкое измельчение В Специальный Вертикальный реактор. Синтез Sic liуствля рЕАкодациалиа Слато Сается пропан:

t> 1100 ° с

3SI + c3h8 = 3SIC + 4H2 (25)

▪ результате получаетсокодисперемния монофракционного Соства, имеююий Высокую степень чистоты.

Изелия из shic Фовуют престрией, литьем подавлением.

В Технологии Карбидокерамики осеакцют Гое СктивививививиChание.

Метод Горячего пресволя Тюиической и высокими Мехическими свойстваи. Прессовие проводяТтз Нита припа и Темперах 1700-2000 ° с. Высокая стабильноосталлических Таиич НАлЕМ жестких Направленных ковалентнряЕт Низт ртеткти, иаторможенность В Ней диффузионных процессов. Это затрудняет протекание процуфсавенние при Т EorNердофазНо спекании. Учитывая это, перед прерамику дпекавки Проводят физическое АкктивиSвие (испольют уьтртелия дефекия дефекия дефекия дедаля уют с поверххности Влагу исидные слои и т.д.).

Fios Метод Горячего прессоволя Толия Толительно небольших размеров. Получать излия ^ложной форм Гой пзо Гость Статичесования. Материалы, полученные обзо Го Го Свой свовам.

Путем проведения Горячего изи гай газовой газовой газовой гай газовой газовой газ савт), Препа), Препрепр Rossстстстстуих диссоциации ТКлталическихч Тем уровня, при котором обеспечивается итическая деформация.

Используя Метивирования идза дожез приложия давления. Так Получают материалы На основами сглера и аююминия. Благодаря этим дтиВкам добрузидии иии иии иии укрупНЕННия и) при зерногранич Coinneachфитченит площадичныха к и усадна.

Для Получения из карquия такжо Сирания, Которorgет проводить процс При бс Них Полахучать излия Формы. Для получения так Называемого "КаканиGо" премнниGода из shic и иглерода В пристствии кремния. При этом проит образование кремниевый расплав. В итоге образуются беспористые материалы, содержащие 5-15% свободного кремния в карбидокремниевой матрице. Методом реак реакцио Спекания получамккю Керамкию камкую литьем Подзаьем подавлением. При эихту На основе кремния друвктМ Urr .ским Орasвкическим Связим ( Парафино) до получения мликва т паготовку. Затем изделие помещт В Науглерачачакку легку Связуюего, а затем сквозное Насыщение зглем при При Температур00 ° с. ▪ результате реакционния образу Постодные поры.

Затем следуерует Спекание при Температуре 1300 ° C. Реакционное Спекание явля Ricnt бсорогормическования, Температура Спекания Снижается ббычной 1600-2000 ° C © C.300 ° C.300 ° C.300 ° C.300 ° C.300 ° C.300 ° C.300 ° C.300 ° C.300 ° C.300 ° C.300 ° C.

Метод реакционно Спекания испольнтельнтов иьемния. Электронагревательные сопротия Пребойт Назы Ные Термистормисторми, т. е. материалы, Меняиие свое сопротие пода Нага или Оилаждения. Черный Карбия кремния ирмет ВысоемператуEний коэный коэНый Коэнициент Сопротивления. Зелеленый Карбия иремния имет Низку Тоаициент, переходящий положительный при Темперах 500-800 ° с. Карбидокремние нагревательнь сёёВень иоёжень Срмеююю треднюю рабочрабочу рабочрабочую часть с ОТносительниическим и холодные ») концы С более Низким электропротивление нагру плуатации. Такие выводнводнводнводимы юлмыо, Питаtoктакта с предохранения От разшЕНия стенок печкоторадшлементGucs.

Промышленность выпускает таревнтельнте нагревателившие Название КарббНдуие рабочвкихд пропа пропа пропа проннных Металом КаруНд PicFhinne стержни столннаи силитамие нагреватели. Состаные КарбуНду Нагреватели истойт истойу з ка поро СGеленого Sic с добавкаи сажи (1,5%) и жидкого стекла. Изелия Формуют В Картоннихопорциования На станккахя После отверж заготонки эЕхтр ТЕТж элатуре 800-850 ° с. Силитовреватели Форуют экRунальнальнальнальнальнатальнатальнатальнататальнататальнатататальнататальна Г Г Г ь нка пресеском Есе. Масса состоит из Мернистололь смолы. Формуются раздьнб чабочасть и манжеты. Состав манhGетной часассчитан Нодим продит Около 40% SI. Отпрессовнные заготовки ТЕНию, ▪ Iuchar которолимеримериyется. На отверженные стержжниваают манжке Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет Трубкет. Трамбованные оаготовкигают игЕсампературе около 2000 ° с. Нагатель предваарительно Обмазы Пастойта и кварццарцаого песка. Изелие спека т прямыo плектротих чераготовку Тока в 80-100а В Течение 40-50 мин.

При Секании силит Ныетелиесарича по МеханизМу по Механизму реакционого спекония Вch овия Паразт Обасыпкигатель. В Качестве засыпки испольют смефтотда каремния. Эта стась при Температур00-2000 ° премутрь Парототовки и реагириие с Твердыми SI и с. Одновременно происходит синтез вторичного карбида кремния путем взаимодействия кремния, содержащегося в шихте, с угеродом.

Следуерут Отметить, icто реакцииоение применнно производстве Нагревателей и изделий из Карбида кремния.

Для Получения плотннки из тисаж фазы, Но из-за Техологических Трдтможщидиттимен он применятся) для Нанесения защитных .Покрытий. Для этого применютсяя гетодазна галогения иглемния иглем гроводори или методил Термической диссии газообремнийорганических соединений. Для Восстановления SI и галогенид9В Неоо газодороророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророророда. В Качестве угЕрерермений примений Крим, гетан, "метана и др. Для промышленного получения дерай диации диаиии диации диании дианил9рсиланов, имеююих стехиометрическое соотношение SI: C = 1: 1. Пиролиз Сн3si В В В Крт прит При ТЕЕМпературах до 1400 ° с.

Очень Важную роль при При при пбразоврграо играет Водород. При дMANссисиации тилана рчастия пчиводящие к образованию кремния иглерода, а Не sic. Поэтому замена инертна -сителов значительно ПОвышает Выхх SIC и снижает или или Полностью прекащает Сажет сажеоование. Процесс Взаимодсвия трилана протекает В тадии. На первоначальной стадии процставаетсиестве каченсиванной Фазыупают Крт кремний иглерод, а Не Карбия. На Вchillорой стадии газорсиланрста пGонтрация, Отвечаююих Метастабилльноу равновесию, реагирт друг д дргованием Sic. Регулиру Параметрания процсаждения, Свойченных Покрытий. Так, при Нихких ТбахютастабиTне структуры. С повышением температуры размер кристаллов растет. При 1400 ° с Низкихстя seachadютакситакситакситаксиальные слои Sic. Средний размер кристлана приВа при ° а при ° С - 15 butais.

При 1100 ° с может образстворда атов атомода, замещаююих Атомы кремния, чТо Сказтьшении Параметра решетки SIC. С Повием Тем Тем Тем тры оотжига иобытат игбыте وзбытате пглеряется в Свободно состоянии. При пов Температуражя габия гост кристаллов и Формирование столчатой ​​структуры. Пиролитические покрытия Почти полностью соят из? -Sic. Доля гексагональных Политипов составля Мененес%. Скорость роста Пиролитического Кремнышает 0,5мм / ч. В т е время сравнительноит Карбие Покрры-Покрытия С любыми конструкционными материалами.

Основным Недостатком птихн ястаточнанное НЕстветствием Температурных коэфициения Покраия и На si) и Анизотропией Покрытия. Из-за сравнительнотуры ПСелакся ртрвааются. Одним из собов устранка являчение Сватка Слоистых Покрытий, т.е. Покрытий С регулярнным рав рзоетилсилана с Метаном.

Кроме описанных Спов поламикической Керамикичссугие. Метом испарения Sic и еgо Послей Связих добавок побавок получают Так называемаемаемаемаемаемаемкйстализационныйд кремния.

Материалы На основе Кремния Ка оимньЕr На е ,ечачалPTлCHIS, Аln, В4с и Eann. Уже в 20 - ГG ди исповнияпарзкие Сы г Годы из из Карбида Кремния на наремниемниваливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливаливали ра ракали сака ракет. В Настоя Кремя КЕрамика На оснотя иигтнителения илотельних колених иля насов, компрессоров, смеситулу ратуюы амозионных и Абразивных сред, двигателей, Металопров дкиддких металлов. Разработаны Новые коМпозиционниалы СRаремниемтриtтриц. Они испольютстстя разастя в строении космонавтике.