Eskabide
Silizio karburo zeramikaZerbitzatu rol kritikoak laborategiko eragiketetan sektore anitzetan. Aplikazio nagusia Silicon Carbide erregailuaren toberak dira, tenperatura altuko errekuntzako sistemetan oso erabilita, metalurgia prozesatzeko, beirazko fabrikazioan eta zeramikazko tiro egiturarako, muturreko ingurune termikoetan egiturazko egonkortasuna dela eta. Beste erabilera garrantzitsu bat silizio karburo arrabolen artean, labean jarraitzea eta osagaiak transmititzen dituztenak dira, batez ere zeramika aurreratuak, osagai elektronikoak eta doitasun beirak. Gainera, zeramika sic osagai estruktural gisa erabiltzen dira, hala nola habeak, errailak eta aulkiak labeko labeetan, non atmosfera oldarkorrak eta estres mekanikoa jasaten dituzten esposizio luzea jasaten duten. Hondakinen bero berreskuratzeko sistemetarako bero-trukagailu unitateetan integratzeak areagotzen du labearekin lotutako kudeaketa termikoan duten aldakortasuna. Aplikazio hauek silizioaren karburoen egokitasuna azpimarragarria da berogailu industrialeko teknologien barruan.
Labe industrialeko aplikazioen artean:
4.Silizio karburo erradiadun hodi
Abantaila teknikoak
1. Aparteko egonkortasun termikoa
- Urtzeko puntua: 2.730 ºC (tenperatura ultra-altuko inguruneak mantentzen ditu)
- Oxidazioarekiko erresistentzia 1.600 ºC arte airean (atmosfera oxidatiboetan degradazioa eragozten du)
2. Erodukzio termiko altuagoa
- 150 w / (m · k) eroankortasun termikoa giro-tenperaturan (bero transferentzia azkarra eta tenperatura banaketa uniformea gaitzen ditu)
- Energiaren kontsumoa% 20-30 murrizten du material arrunten ohiko materialekin alderatuta.
3. Parekatu gabeko shock erresistentzia termikoa
- 500 ° C / segetik gorako tenperatura gorabehera azkarrak jasaten ditu (berogailu zikliko / hozteko prozesuetarako aproposa).
- Egiturazko osotasuna mantentzen du txirrindularitza termikoaren arabera (pitzadura eta deformazioa ekiditen du).
4. Indar mekaniko altua tenperatura altuetan
- Gelako tenperaturaren indarraren% 90 mantentzen du 1.400 ºC-tan (Kritikoa da karga-labeen osagaietarako).
- 9,5eko gogortasuna (material urratzaileen higadura labe inguruneetan).
| Jabetasun | Silizio karburoa (sic) | Alumina (aloka) | Metal erregogorrak (adibidez, Ni-n oinarritutako aleazioak) | Erregina tradizionalak (adibidez, Firebryk) |
| Max. Tenperatura | Gehienez 1600 ° C + | 1500 ° C | 1200 ° C (goiko leuntzea) | 1400-1600 ºC (aldatu egiten da) |
| Eroankortasun termikoa | Altua (120-200 w / m · k) | Baxua (~ 30 w / m · k) | Ertaina (~ 15-50 w / m · k) | Oso baxua (<2 w / m · k) |
| Shock termikoarekiko erresistentzia | Bikain | Pobrea moderatua | Ertaina (duktility laguntzen du) | Pobrea (pitzadurak rapidT azalduta) |
| Indar mekanikoa | Indarra mantentzen du tenperatura altuetan | 1200 ºC-tik gorako degradatuak | Tenperatura altuetan ahultzen da | Baxua (hauskorra, porotsua) |
| Korrosioarekiko erresistentzia | Azidoak, alkalisak, metal urriak / zepak | Ertaina (azido sendoak / oinarriak erasotzea) | Oxidazio / sulfidazio joera tenperatura altuetan | Giro korrosiboetan degradatuak |
| Lifepan | Luzea (higadura / oxidazioarekiko erresistentea) | Ertaina (txirrindularitza termikoaren pitzadurak) | Laburra (oxidatzen / creeps) | Laburra (Spalling, Erosion) |
| Energia eraginkortasuna | Handia (bero transferentzia azkarra) | Baxua (eroankortasun termiko eskasa) | Ertaina (eroalitatea baina oxidatzen da) | Oso baxua (isolatzailea) |
Industria kasua
Prozesazio metalurgikoko enpresa garrantzitsuenek hobekuntza operatibo garrantzitsuak lortu zituzten silizio karburoa (SIC) zeramika integratu ondoren tenperatura handiko labe sistemetan integratu ondoren. Ohiko alumina osagaiak ordezkatuzSilizio karburo erregailuak, enpresak jakinarazi du:
✅ Urteko mantentze kostuak% 40 txikiagoa da osagaien degradazio murriztua 1500 ° C + inguruneetan.
✅ Ekoizpenaren% 20ko igoera% 20 igo da, SIC-k shock termikoarekiko erresistentziak eta molten zepak eraginda.
✅ ISO 50001 Energiaren Kudeaketa Arauak lerrokatzea, SICren eroankortasun termiko altua, erregaiaren eraginkortasuna% 15-20 optimizatzeko.
Posta: 2012-10-11-25