KindralselgitusReaktsioonLiimitud SiC
Reaktsiooniga seotud SiC-l on mehaanilised omadused ja oksüdatsioonikindlus. Selle maksumus on suhteliselt madal. Praeguses ühiskonnas on see erinevates tööstusharudes üha enam tähelepanu pälvinud.
SiC on väga tugev kovalentne side. Paagutamisel on difusioonikiirus väga madal. Samal ajal katab osakeste pind sageli üsna õhukese oksiidikihi, mis täidab difusioonibarjääri rolli. Pure SiC on vaevalt paagutav ja kompaktne ilma paagutamislisanditeta. Isegi kui kasutatakse kuumpressimise protsessi, peab see valima ka sobivad lisandid. Ainult väga kõrgetel temperatuuridel on võimalik saada teoreetilisele tihedusele lähedase tehnilise tiheduse jaoks sobivaid materjale, mis peaksid jääma vahemikku 1950 ℃ kuni 2200 ℃. Samal ajal on selle kuju ja suurus piiratud. Kuigi SIC-komposiite saab saada aur-sadestamise teel, piirdub see madala tihedusega või õhukese kihiga materjalide valmistamisega. Pika vaikse aja tõttu tõusevad tootmiskulud.
Reaktsioonliimitud SiC leiutas 1950. aastatel Popper. Põhiprintsiip on järgmine:
Kapillaarjõu toimel tungis vedel räni või reaktiivse aktiivsusega ränisulam süsinikku sisaldavasse poorsesse keraamikasse ja moodustas reaktsiooni käigus süsinikräni. Äsja moodustunud ränikarbiid seotakse in situ algsete ränikarbiidi osakestega ja täiteaine jääkpoorid täidetakse tihendusprotsessi lõpuleviimiseks immutusainega.
Võrreldes teiste ränikarbiidkeraamika protsessidega on paagutamisprotsessil järgmised omadused:
Madal töötlemistemperatuur, lühike töötlemisaeg, pole vaja spetsiaalseid ega kalleid seadmeid;
Reaktsioon Liimitud osad ilma kokkutõmbumise või suuruse muutumiseta;
Mitmekesised vormimismeetodid (ekstrusioon, süstimine, pressimine ja valamine).
Kujundamiseks on rohkem meetodeid. Paagutamise käigus saab ilma survestamiseta valmistada suuri ja keerulisi tooteid. Ränikarbiidi Reaction Bonded tehnoloogiat on uuritud pool sajandit. Tänu oma ainulaadsetele eelistele on sellest tehnoloogiast saanud üks erinevate tööstusharude fookustest.
Postitusaeg: mai-04-2018