Üld-selgitusReaktsioonÜhendatud sic
Reaktsioonisidemega sicil on mehaanilised omadused ja oksüdatsiooniresistentsus. Selle kulud on suhteliselt madalad. Praeguses ühiskonnas on see meelitanud üha enam tähelepanekuid erinevates tööstusharudes.
SIC on väga tugev kovalentne side. Paagutamise korral on difusiooni kiirus väga madal. Samal ajal katab osakeste pind sageli üsna õhuke oksiidikihi, mis mängib difusioonbarjääri rolli. Puhas sic on vaevalt paagutatud ja kompaktne ilma lisaainete paagutamata. Isegi kui kasutatakse kuumapressimisprotsessi, peab see valima ka sobivad lisandid. Ainult väga kõrgetel temperatuuridel saadakse teoreetilise tiheduse lähedale tehnilise tiheduse jaoks sobivad materjalid, mis peaksid olema vahemikus 1950 ℃ kuni 2200 ℃. Samal ajal on selle kuju ja suurus piiratud. Ehkki SIC -komposiiti saab aurude sadestumisel, piirdub see madala tihedusega või õhukese kihi materjalide valmistamisega. Pika vaikse aja tõttu suurenevad tootmiskulud.
Reaktsiooniga seotud sic leiutas 1950ndatel Popper. Põhipõhimõte on:
Kapillaari jõu toimimisel tungisid reaktiivse aktiivsusega vedela räni või räni sulam poorsesse keraamikasse ja moodustas reaktsioonis süsiniku räni. Äsja moodustatud ränikarbiid on ühendatud in situ algsete räni karbiidiosakestega ja täitematerjali jääkpoorid täidetakse tihendusprotsessi lõpuleviimiseks immutava ainega.
Võrreldes teiste räni karbiidi keraamika protsessidega, on paagutamise protsessil järgmised omadused:
Madal töötlemistemperatuur, lühike töötlemisaeg, spetsiaalsete või kallite seadmete vajadus;
Reaktsiooniga seotud osad, millel pole kokkutõmbumist ega suurust;
Mitmekesised vormimismeetodid (ekstrusioon, süstimine, pressimine ja valamine)。
Majutamiseks on rohkem meetodeid. Paagutamise ajal saab suure suuruse ja keerulisi tooteid toota ilma survestamiseta. Räni karbiidi reaktsiooniga seotud tehnoloogiat on uuritud pool sajandit. Sellest tehnoloogiast on muutunud ainulaadsete eeliste tõttu erinevate tööstusharude keskendumine.
Postiaeg: mai-04-2018