Siliciumcarbid opfører sig næsten som en diamant. Det er ikke kun det letteste, men også det hårdeste keramiske materiale og har fremragende varmeledningsevne, lav varmeudvidelse og er meget modstandsdygtig overfor syrer og lud.
Med siliciumcarbid keramik forbliver materialeegenskaberne konstante op til temperaturer over 1.400°C. Det høje Young's modul > 400 GPa sikrer fremragende dimensionsstabilitet. Disse materialeegenskaber gør siliciumcarbid forudbestemt til brug som byggemateriale. Siliciumcarbid mestrer korrosion, slid og erosion lige så dygtigt, som det modstår friktionsslid. Komponenter anvendes f.eks. i kemiske anlæg, møller, ekspandere og ekstrudere eller som dyser.
”Varianterne SSiC (sintret siliciumcarbid) og SiSiC (siliciuminfiltreret siliciumcarbid) har etableret sig. Sidstnævnte er særligt velegnet til produktion af komplekse komponenter i store mængder."
Siliciumcarbid er toksikologisk sikkert og kan bruges i fødevareindustrien. En anden typisk anvendelse for siliciumcarbidkomponenter er dynamisk tætningsteknologi ved hjælp af friktionslejer og mekaniske tætninger, for eksempel i pumper og drivsystemer. Sammenlignet med metaller muliggør siliciumcarbid meget økonomiske løsninger med længere værktøjslevetid, når det bruges sammen med aggressive højtemperaturmedier. Siliciumcarbidkeramik er også ideel til brug under krævende forhold inden for ballistik, kemisk produktion, energiteknologi, papirfremstilling og som rørsystemkomponenter.
Reaktionsbundet siliciumcarbid, også kendt som silikoniseret siliciumcarbid eller SiSiC, er en type siliciumcarbid, der fremstilles ved en kemisk reaktion mellem porøst kulstof eller grafit med smeltet silicium. På grund af de tiloversblevne spor af silicium omtales reaktionsbundet siliciumcarbid ofte som silikoniseret siliciumcarbid eller dets forkortelse SiSiC.
Hvis rent siliciumcarbid fremstilles ved sintring af siliciumcarbidpulver, indeholder det normalt spor af kemikalier kaldet sintringshjælpemidler, som tilsættes for at understøtte sintringsprocessen ved at tillade lavere sintringstemperaturer. Denne type siliciumcarbid omtales ofte som sintret siliciumcarbid eller forkortet til SSiC.
Siliciumcarbidpulveret er opnået fra siliciumcarbid fremstillet som beskrevet i artiklen siliciumcarbid.
(Set fra: CERAMTEC)[e-mailbeskyttet]
Indlægstid: 12-november 2018