Ang sukaranan nga sukaranan sa desulphurizing nozzle dust over nga makuha ang pagbulag sa mga partikulo sa abug gikan sa atmospera o aso
Una, ang mga partikulo sa abug gipamubu sa usa ka spray sa tubig aron madugangan ang gidak-on sa tipik ug piho nga grabidad. Ang mga partikulo sa abug makalain gikan sa kahanginan o gas nga flue. Kung nabuak ang desulfurisasyon nozzle, kinahanglan naton nga kuhaon ang nozzle. Ang piho nga operasyon mao ang mga musunud:
1) Ang mga bahin sa standby o ekstra nga mga bahin kinahanglan nga tukma nga gitipig: Ang kinatibuk-an nga mga supplier adunay espesyal nga pakete ug pag-label, nga kinahanglan ibutang nga wala magamit. Ang gitangtang nga mga nozzle kinahanglan nga matumog sa lana (gasolina, diesel oil, ug uban pa) aron mapugngan ang taya.
2) Kung adunay usa ka sayup bahin sa pag-inspeksyon sa nozzle nga Desulfurization, kinahanglan nga mabungkag ang inspeksyon sa nozzle. Ang mga tiggamit kinahanglan mogamit espesyal nga mga himan o angay nga mga himan aron ma-disassemble ug madunot ang lakang sa relasyon sa asembliya.
3) Ang gikuha nga mga nozzle kinahanglan nga i-install dayon sa bench sa pagsulay sa nozzle imbis sa bisan unsang pagtambal. Sumala sa gireseta nga presyur sa pagtrabaho, pag-agos sa mga kinaiya, ang pag-spray sa angger detection ug spray kalidad nga obserbasyon nga gihimo. Mahimo kini masulbad kung nag-problema.
Ang Desulfuriation Nozzle mitumaw sa ilawom sa mga kinahanglanon sa pagpanalipod sa kalikopan. Ang panguna nga katuyoan sa produkto mao ang gasolina sa desulpuate ug uban pa. Naghimo kini nga produksiyon sa industriya nga labi ka mahigalaon sa kalikopan. Ang mga kemikal nga kabtangan sa desulfurizing nozzle gihubit sa ubos, ug kami nagpaabut sa pagtabang kanimo.
Pagsukol sa Pag-oksar sa Mga Desulphurizing Nozzle
Sa dihang gipainit ang Silicon Carbide Material hangtod sa 1300 degree sa Air, ang Silicon Dioxide nga panalipod nga layer giporma sa nawong sa silicon carbide crystal. Ang pagpakaulaw sa pagpanalipod sa layer nga nagpugong sa internal nga silicon carbide nga magpadayon sa pag-oxidize. Kini naghimo sa Silicon Carbide adunay maayo nga pagsukol sa oksihenasyon. Kung ang temperatura labaw sa 1900k (1627 C), ang silica protective film gilaglag. Niining higayona, ang pag-oksar sa silicon carbide nagkagrabe. Busa, ang 1900k mao ang labing taas nga temperatura sa pagtrabaho sa silicon carbide sa pag-oxidize sa kahanginan.
Acid ug alkaline nga pagbatok sa desulphurizing mga nozzle:
Sa aspeto sa resistensya sa acid, ang pagbatok sa alkali ug pag-okupar sa Silicon Dioxide Protective Filmcive Film mahimong mapalambo ang resistensya sa asido ug pagbatok sa alkali sa silicon carbide.
Post Oras: Jul-25-2018