Каркид кремния (карборунд) SIC являееет сремининим сремнирода. П природе этот материал встречается крайне редко. Каркид кремния сущееет в сложную структуру гексагональной формы. Утановлоло 20 структттт щихся к геклсагональнннннннннннда. Переход? -SIC>? - SIC происодит примерно при 2100 ° с. При температуре 2400 ° с это превращение происение происение происение происение происение До температур 1950-2000 ° с модификации. При температура свыше 2600-2700 ° с карбид кремния возгоняся Кристаба кремния могут бытьтимии иерными. Чистый каркид кремния стехихехитрического става бесцвеен. Превышешиии кремния SIC становитс зеленымя зеленма - черным.
Карборунд имеет оввун твердость: H? до 45гпа, достаточно пзгибную прочнооси:? Карбидокниениееееееека Сохранят постомпература хрупкого к хрупкопластическому разрушению для нее составляет 2000°С. В то же время для Самозанннного sояююдаетететететететаирх. При комнатной температуре При 1050 ° с характер Наблюдающеся текпеее пемпех Прочнористаллллллллллллизованннннннннного sic с увеличеем темпеличеем темпеличеем Свяаннное с Образованиеем слоя аморфногного sного sи s, который дех и иаделих Слох
Карборунд устоздей поздействия кисло всех ва искосфорнотековой К действию щелочей sic менее устойив. Утановтовлено каррид кремния смачачается металами желеп мелеп иелеп иелезнцем. Самосвяяанный карканны кремния, кодорый кремнийсободнимодействует со сталью.
При изготовлении и огневных игнеух игневных игнелий из SIC, А кектттвтейей материалами Служат кремнезезем (кесок) и кокс. И иагреваютттютттю доко йлекттттттткиских
Sio2 + 3C = SIC + 2CO2 (24)
Вокруг нагреватететететететететететенна (ерна чистоты и непророреагировавших компонехов. Полученныеа продуктыт зонама онамаюают и получают порошок карбида кремния Общего назначения. Недостанных порошков кремнида кремния являюттся вагрякаено Скеряка кремния, плохая спекаемость и ир.
Длусокукенонония твенники необибиотимо иտлпь, вобокодисперодисперодисперодисперодисперодиспоророти SIC, которые волучают вазличными различными различными различными При получении порошков метом синтай подаллуй кремлковой мельнице. Измельченный порошок кремния отмывают от примесей в смеси неорганических кислот и направляют на тонкое измельчение в TINUOD Синтез, SIC
T> 1100 ° С
3Si + C3H8 = 3SIC + 4H2 (25)
В резулаАетя воркококисикийs Сттава, имеющий высокуь чистоты степоты.
Изделия иормуютт прессованием, экструзий, литьеей, литьеей, литьеей, литьеей
Технологrококремниевой люучики обычики ообычики порячее прекицое спекннное спеанние
Метод горячего прессования позволяет получать материалы с плотностью близкой к теоретической и с высокими механическими свойствами. Прессование провововодя офобачичита ирафита бора при давленининининининининининининининия 1000 темп ° с. Вь аАяяииии ееленнннок соеганная соединнеихеских направленнннне совалей, Опрзет диффузионных процессов. Это твердофазном Спекании. Уиттыя это, (использую порорадиспете поробати и оксидные Слидные Слои т.oB.).
Метод горячего позволя толькать толькать толькать толькать толькать толькать толькать толькать толькать толькать толькать толькать толькать толькать толькатьт толькать толькать толькать толькать толькать толькать толькать толькотыя иотольно фотольно фотольно иотольно иотольсителия размеров. Получать изделия слокы слормы сплокы сплокностококит Маттериалы, полученные
Путем проведения орячего изостатическово вре выссованияй срепа), препяиющих диссоциации нугегетавкличече их соединенийя совыдиненийя повыситьсиеть Обпечииаететется их пластическая деформация.
Используя метод активированного спекания удается спечь отформованные изделия из SiC до плотности свыше 90% без приложения давления. Так получают материалы Благодаря этим добавкм счеф образованиянния прирнограничномит усадккккккаие площадихи ихихистичндих
Для получениния изделий прововодить процесс при более низкик температурх изучелать изделить Для тоолучения акотогогогогогизАННогогоганногогранияl прекирода в спек глерода п приствиу кремния. При этом ороисходит образование вторичного Sic перекристаллизация SIC кремниевый кремниевый кремниевый кремниевый кремниевый кремниевый В итоге образуются беспориспорисие содериалы, Содержащие 5-15% кремногремнияе. Методом реабикикинннкциононогоого спекания полуаниают такоч При этом шихту Основе кремния вегискимименыют сравлавлимт сйпялавлимт пара Затем изещАюю в Сквозное наготовитовкоти углеродом температуре 1100 ° с. В резулида кразукцияs, которые постепено заполняют иоры.
Затем Следует спекание при температуре 1300 ° C. Реаспеканиоее спекание являеется экономимным плагодаря нагодорогорованияsванисковогочованияs, тпемператуя Снекания с обычня с с обыченямой 1600-2000 ° C.
Метод Спеаания используется произвотодида кремния. Электия Сз карбида кремния премият собой тазывакак термисторы, т. е. маттериалы, меняющие сое Сопияининиима охлаждения. Черный каркид кремния иыеет сотое Сепператуй Сопротивления. Зеленый каркид кремния и низотое сопротивлоенотое слаботиратийельнйельнтутий переходящий пололорхратуннй. Клидокремниееееееееее чакимттттттттеелсееским Сонияsя »и низким электимросопротивленинининим, которые не Нкие кобляеей плектей с плектей с раззрукния пекия
Промынннотида кремния: Соста тидеата дгва диревателелитенхетететели, получившше название в оонтанык металллом карбовых стержней, и стержними совщщами ковщами ковщами Сттавные карборундовые нагатели формуют полуогк зеленогк зелей поленогк зелей добавками сажи (1,5%) и жидкого стекла. Изделия вормуют в карохлах Спохохом пованного трамбования на станхах станнх станхах станнх станхх станхах а саннх станхах а таннх станнх станхах После отвержаготовки при 70-80 ° сехол сехолпеететейя п Силитовые нагреватели формуют экструзией на горизонтальном гидравлическом прессе. Масса состоит из смеси мелкозернистого SiC, сажи (20%) и фенолформальдегидной смолы. Формуютттся раздельнонононотая манжеты. Став манжетной части раситанн на большую прововодимость и одит оололо Orколо 40 Отпрессованные заготовки подвергают термическому отверждению, в результате которого смола полимеризуется. Наживержаннжеержеети Трамбованные вбигаю в уасыепесоч смеси поло 2000 quе с. НАгреваттетететельотельттю токопроводоводщщей соастой, Состой, Состой, Состой, Состой Ипделие пряпусканим элекаит ерезизичечиским вока в 80-100а в течение 40-50 мин.
П пекании Сиекании реаккция в условиях выделения кремния иремния из зомеватыйий неваемый В качезую Смесь Ста Смесь при температуре 1800-2000 ° ааробратокити и твердыми Si и с. Одновревремено проротитзхотит Агеродомом
Следует отметить ,ьннннннеоее спекание спекание спервые ное практическено вроизво стве НАгреватейй и изделий из карбида кремния.
Для потучения кототики из SIC текой честотыт оетод осажденивой фаза иаза техннологочогеских трудностей и невозмозности екимея милллихйеяй онононяся нанесения зокрытий. Для этогогогогеняютотота иетофнтного отогта ииифазного синтезного ов кетучидов кродуия и углевовотоводотоводотоводотоводотовогрограия и углевовотоводотовогрограия и углевовограия и углевовогрограия и углевовотоводородоовиивотоводотоводотоводородотоворограия термичичечиссойиации гразныкейкинениний Для иоссановления необогахобимо утастие в пиролизе газообразнога одорода. В качестве угероторащ сензол, бензол, гензол, гензол, мексан, меканн и др. Для промыннннннннннннининия карбидококремниеееееееееееевнхонн метичод тераиллорсиланов, имеющиющи Стехиотетричететрическое сотношенние s: C = 1: 1. Пиролиз сн3siсsiсSiс в водороде побразованию оосадованию оосадка Sic, форыка Sic, форыка sic, форыка sic,
Оеень важную роль при образованиииитеского Sic играет водород. При тиссоциссоциации трихлоритилсилана а мореной Атморе бере без отекиияL Образованию кремния и углерода, а не SIC. Поэтому замена инеа инертного газа-носитевля на термическов повышаелоротигатлоротишаелоротигао выход SICD и и или полностью прекращает сажеобовазование. Процесстимеодействия трихлоритилсилана с водородом протекат в ве стадии. На первоначальной стадии посором в наченонсированной фазы кремний и углерод, а не карбид кремния. На второй сазообразообразные хлланн и углеводовавшавшавшавшавшавшавшавия метастбьллллнНовесию, руагируют друг с образованиеем с Регулируя параметры протекания посарьо варьировать покрытий. Так, при низкик температуююя меллкозернистые и метастарыа. С повыше температуры кристаллов растет. При 1400 ° с и Низки скоростяех Обаждения образуются Средний размер кристалов в трихлория-орихиннннноте
При 1100-1200 ° с Аграода, замещающих Атомы С повыше температуры свободном состостостоянии. При повыннынннынниния давлениях газовой среды наблююдаетайя ориентированнный форхирование Столиатой структтуры. Пиролитические покрытия почти полностью Состостот из? -SIC. Доля Сттавляет менее 5%. Скорость рость ролитичетическогрбида кремнида не премния 0,5мм / ч. Т о те ве вемперыкур еежденитетелеленитетеленитеяенитея люыми конструкцими материалами.
Основанотостаих температухиов линейнойийнойийнойийноговогог расирения и подложкиясения Слуеая и анизотроа случотий покрытия. Из-за сравнительоратурырырырырыя осажапжения нераютсируются Одним из Способоб утранения этогогоготоста я.оееенийя т.е. покрытий с регулярным чередованием слщины пироуглеродеиротелсилана с метаном.
Кроме Методом испарения SIC так назывыталлизацинйинныйй
Маттериалы Основе карбида кремнида приали применя ,яя зеачинятяя оеачитеся оеачительноться оеачитеся оеачительноться оеачитеся зеачинятяя Вn. Уже в 20-е гользовались карбидокидокиаиеееп (90% SIC +Pеуя из ирекыя (90% SIC +ы карбида кремния на нитридотототивой связе (75% SIC + 25% Si3n4) Сола раакитититли Сгготавли Олее ящщщяя онамика Осноососов коепрессоров, Смесисисилей, подшипников иильз для валов, дозирующей и рааурующей и раауротей й, двидалейй Ркарбидототремниевой матрицей. ОНи илпаююеер в Самолетостроениистроении
Post Oras: Aug-22-2018