Green silicon carbide powder ug silicon carbide micropowder

Ang Silicon carbide (SiC), nailhan usab nga carborundum, usa ka semiconductor nga adunay silicon ug carbon nga adunay kemikal nga pormula nga SiC. Kini mahitabo sa kinaiyahan ingon nga talagsaon nga mineral moissanite. Ang sintetikong silicon carbide powder kay gigama sa masa sukad niadtong 1893 para gamiton isip abrasive. Ang mga lugas sa silicon carbide mahimong mahiusa pinaagi sa sintering aron maporma ang gahi kaayo nga mga seramiko nga kaylap nga gigamit sa mga aplikasyon nga nanginahanglan taas nga paglahutay, sama sa mga preno sa awto, mga kuptanan sa awto ug mga plato nga seramik sa mga bulletproof vests. Ang mga elektronik nga aplikasyon sa silicon carbide sama sa light-emitting diodes (LEDs) ug detector sa unang mga radyo unang gipakita sa mga 1907. Ang SiC gigamit sa semiconductor electronics device nga naglihok sa taas nga temperatura o taas nga boltahe, o pareho. Ang dagkong single nga mga kristal sa silicon carbide mahimong motubo pinaagi sa Lely method; mahimo silang putlon sa mga mutya nga nailhan nga sintetikong moissanite. Ang Silicon carbide nga adunay taas nga lugar sa nawong mahimong makuha gikan sa SiO2 nga naa sa materyal nga tanum.

Deskripsyon sa Produkto

Ang Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd usa sa pinakadako nga silicon carbide ceramic nga bag-ong solusyon sa materyal sa China. SiC teknikal nga seramiko: Ang katig-a sa Moh kay 9 (Ang katig-a sa Bag-ong Moh kay 13), nga adunay maayo kaayo nga pagbatok sa erosion ug corrosion, maayo kaayo nga abrasion - pagsukol ug anti-oxidation. Ang kinabuhi sa serbisyo sa produkto sa SiC 4 hangtod 5 ka beses nga mas taas kaysa 92% nga materyal nga alumina. Ang MOR sa RBSiC mao ang 5 ngadto sa 7 ka pilo sa SNBSC, kini mahimong gamiton alang sa mas komplikado nga mga porma. Ang proseso sa pagkutlo dali, ang paghatud ingon sa gisaad ug ang kalidad ikaduha sa wala. Kanunay kaming nagpadayon sa paghagit sa among mga katuyoan ug gibalik ang among mga kasingkasing sa katilingban.