Pols de carbur de silici verd i micropols de carbur de silici

El carbur de silici (SiC), també conegut com a carborundum, és un semiconductor que conté silici i carboni amb fórmula química SiC. Es troba a la natura com a moissanita mineral extremadament rar. La pols de carbur de silici sintètic s'ha produït en massa des de 1893 per utilitzar-la com a abrasiu. Els grans de carbur de silici es poden unir per sinterització per formar ceràmiques molt dures que s'utilitzen àmpliament en aplicacions que requereixen una gran resistència, com ara frens de cotxes, embragatges de cotxes i plaques ceràmiques en armilles antibales. Les aplicacions electròniques de carbur de silici com els díodes emissors de llum (LED) i els detectors de les primeres ràdios es van demostrar per primera vegada al voltant de 1907. El SiC s'utilitza en dispositius electrònics semiconductors que operen a altes temperatures o alts voltatges, o ambdues. Es poden cultivar grans cristalls simples de carbur de silici pel mètode Lely; es poden tallar en gemmes conegudes com moissanita sintètica. El carbur de silici amb una gran superfície es pot produir a partir de SiO2 contingut en material vegetal.

Descripció del producte

Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd és una de les solucions de nous materials ceràmics de carbur de silici més grans a la Xina. Ceràmica tècnica SiC: la duresa de Moh és 9 (la duresa de New Moh és 13), amb una excel·lent resistència a l'erosió i la corrosió, excel·lent resistència a l'abrasió i antioxidació. La vida útil del producte SiC és de 4 a 5 vegades més llarga que el 92% del material d'alúmina. El MOR de RBSiC és de 5 a 7 vegades el de SNBSC, es pot utilitzar per a formes més complexes. El procés de cotització és ràpid, el lliurament és el promès i la qualitat és insuperable. Sempre persistim a desafiar els nostres objectius i retornar el cor a la societat.