Pols de carbur de silici verd i micropols de carbur de silici

El carbur de silici (SiC), també conegut com a carborúndum, és un semiconductor que conté silici i carboni amb la fórmula química SiC. Es troba a la natura com el mineral extremadament rar moissanita. La pols sintètica de carbur de silici s'ha produït en massa des del 1893 per al seu ús com a abrasiu. Els grans de carbur de silici es poden unir mitjançant la sinterització per formar ceràmiques molt dures que s'utilitzen àmpliament en aplicacions que requereixen una alta resistència, com ara frens de cotxe, embragatges de cotxe i plaques ceràmiques en armilles antibales. Les aplicacions electròniques del carbur de silici, com ara díodes emissors de llum (LED) i detectors en les primeres ràdios, es van demostrar per primera vegada al voltant del 1907. El SiC s'utilitza en dispositius electrònics semiconductors que funcionen a altes temperatures o alts voltatges, o ambdues coses. Els monocristalls grans de carbur de silici es poden cultivar mitjançant el mètode Lely; es poden tallar en gemmes conegudes com a moissanita sintètica. El carbur de silici amb una gran superfície es pot produir a partir de SiO2 contingut en material vegetal.

Descripció del producte

Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd és una de les majors solucions de materials ceràmics de carbur de silici a la Xina. Ceràmica tècnica SiC: la duresa Moh és de 9 (la nova duresa Moh és de 13), amb una excel·lent resistència a l'erosió i la corrosió, excel·lent resistència a l'abrasió i antioxidant. La vida útil del producte SiC és de 4 a 5 vegades més llarga que la del material d'alúmina al 92%. El MOR de RBSiC és de 5 a 7 vegades superior al de SNBSC, es pot utilitzar per a formes més complexes. El procés de pressupost és ràpid, el lliurament és tal com s'ha promès i la qualitat és insuperable. Sempre persistim en desafiar els nostres objectius i retornem els nostres cors a la societat.