প্রতিক্রিয়া বন্ধন SiC সাধারণ ব্যাখ্যা

সাধারণব্যাখ্যাপ্রতিক্রিয়াবন্ডেড SiC

বিক্রিয়া বন্ডেড SiC এর যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য এবং জারণ প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে। এর খরচ তুলনামূলকভাবে কম। বর্তমান সমাজে, এটি বিভিন্ন শিল্পে আরও বেশি মনোযোগ আকর্ষণ করেছে।

SiC একটি খুব শক্তিশালী সমযোজী বন্ধন। সিন্টারিং-এ, ছড়িয়ে পড়ার হার খুব কম। একই সময়ে, কণাগুলির পৃষ্ঠ প্রায়শই একটি পাতলা অক্সাইড স্তরকে ঢেকে রাখে যা প্রসারণ বাধার ভূমিকা পালন করে। বিশুদ্ধ SiC খুব কমই sintered এবং sintering additives ছাড়া কমপ্যাক্ট হয়। এমনকি যদি হট-প্রেসিং প্রক্রিয়া ব্যবহার করা হয়, তবে এটি অবশ্যই উপযুক্ত সংযোজন নির্বাচন করতে হবে। শুধুমাত্র খুব উচ্চ তাপমাত্রায়, তাত্ত্বিক ঘনত্বের কাছাকাছি ইঞ্জিনিয়ারিং ঘনত্বের জন্য উপযুক্ত উপকরণগুলি পাওয়া যেতে পারে যা 1950 ℃ থেকে 2200 ℃ পর্যন্ত হওয়া উচিত। একই সময়ে, এর আকৃতি এবং আকার সীমিত হবে। যদিও SIC কম্পোজিটগুলি বাষ্প জমার মাধ্যমে প্রাপ্ত করা যেতে পারে, তবে এটি কম ঘনত্ব বা পাতলা স্তরের উপকরণ প্রস্তুত করার মধ্যে সীমাবদ্ধ। কারণ এর দীর্ঘ শান্ত সময় উৎপাদন খরচ বাড়বে।

পপার দ্বারা 1950 এর দশকে প্রতিক্রিয়া বন্ডেড SiC উদ্ভাবিত হয়েছিল। মূল নীতি হল:

কৈশিক শক্তির ক্রিয়ায়, প্রতিক্রিয়াশীল কার্যকলাপ সহ তরল সিলিকন বা সিলিকন খাদ কার্বনযুক্ত ছিদ্রযুক্ত সিরামিকের মধ্যে প্রবেশ করে এবং প্রতিক্রিয়ায় কার্বন সিলিকন তৈরি করে। সদ্য গঠিত সিলিকন কার্বাইডটি সিটুতে আসল সিলিকন কার্বাইড কণার সাথে আবদ্ধ হয় এবং ফিলারের অবশিষ্ট ছিদ্রগুলি ঘনীকরণ প্রক্রিয়াটি সম্পূর্ণ করার জন্য গর্ভধারণকারী এজেন্ট দিয়ে পূর্ণ হয়।

সিলিকন কার্বাইড সিরামিকের অন্যান্য প্রক্রিয়াগুলির সাথে তুলনা করে, সিন্টারিং প্রক্রিয়াটির নিম্নলিখিত বৈশিষ্ট্য রয়েছে:

নিম্ন প্রক্রিয়াকরণ তাপমাত্রা, স্বল্প প্রক্রিয়াকরণের সময়, বিশেষ বা ব্যয়বহুল সরঞ্জামের প্রয়োজন নেই;

প্রতিক্রিয়া কোন সংকোচন বা আকার পরিবর্তন ছাড়া বন্ধন অংশ;

বৈচিত্র্যময় ছাঁচনির্মাণ পদ্ধতি (এক্সট্রুশন, ইনজেকশন, টিপে এবং ঢালা)।

গঠনের জন্য আরও পদ্ধতি আছে। সিন্টারিংয়ের সময়, চাপ ছাড়াই বড় আকারের এবং জটিল পণ্য তৈরি করা যেতে পারে। সিলিকন কার্বাইডের বিক্রিয়া বন্ধন প্রযুক্তি অর্ধ শতাব্দী ধরে অধ্যয়ন করা হয়েছে। এই প্রযুক্তিটি তার অনন্য সুবিধার কারণে বিভিন্ন শিল্পের অন্যতম কেন্দ্র হয়ে উঠেছে।