Silicon Carbide is available in two forms, reaction bonded and sintered. For more information on these two processes please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Абодва матэрыялы звышцвёрдыя і маюць высокую цеплаправоднасць. Гэта прывяло да выкарыстання карбіду крэмнію ў падшыпніках і ўшчыльняльніках, дзе павышаная цвёрдасць і праводнасць паляпшаюць характарыстыкі ўшчыльнення і падшыпніка.
Рэакцыйна звязаны карбід крэмнію (RBSC) мае добрыя ўласцівасці пры падвышаных тэмпературах і можа выкарыстоўвацца ў вогнетрывалых матэрыялах.
Карбід крэмнію валодае добрай устойлівасцю да эрозіі і абразіўнасці, гэтыя ўласцівасці могуць быць выкарыстаны ў розных сферах прымянення, такіх як распыляльныя фарсункі, дробеструйныя фарсункі і кампаненты цыклонаў.
Асноўныя перавагі і ўласцівасці карбід-крэмніевай керамікі:
Высокая цеплаправоднасць
Нізкі каэфіцыент цеплавога пашырэння
Выдатная ўстойлівасць да цеплавых удараў
Надзвычайная цвёрдасць
Паўправаднік
Паказчык праламлення большы, чым у алмаза
For more information on Silicon Carbide Ceramics please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Вытворчасць карбіду крэмнію
Карбід крэмнію атрымліваюць з парашка або гранул, якія ўтвараюцца шляхам аднаўлення крэмнію вугляродам. Ён вырабляецца ў выглядзе дробнага парашка або буйной звязанай масы, якую затым здрабняюць. Для ачысткі (выдалення крэмнію) яго прамываюць плавікавай кіслатой.
Існуе тры асноўныя спосабы вырабу камерцыйнага прадукту. Першы метад заключаецца ў змешванні парашка карбіду крэмнію з іншым матэрыялам, такім як шкло або метал, а затым апрацоўцы, каб дазволіць другой фазе злучыцца.
Іншы метад заключаецца ў змешванні парашка з парашком вугляроду або крэмнію, які затым злучаецца рэакцыйным шляхам.
Нарэшце, парашок карбіду крэмнію можна ўшчыльніць і спечы шляхам дадання карбіду бору або іншай спякальнай дабаўкі для атрымання вельмі цвёрдай керамікі. Варта адзначыць, што кожны метад падыходзіць для розных ужыванняў.
For more information on Reaction Bonded Silicon Carbide Ceramics please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Час публікацыі: 20 ліпеня 2018 г.