Silicon Carbide is available in two forms, reaction bonded and sintered. For more information on these two processes please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Абодва матэрыялы маюць ультра жорсткую і маюць высокую цеплаправоднасць. Гэта прывяло да таго, што карбід крэмнію выкарыстоўваецца ў прыкладаннях падшыпнікаў і паваротных ушчыльненняў, дзе падвышаная цвёрдасць і праводнасць паляпшаюць прадукцыйнасць ушчыльнення і падшыпнікаў.
Рэакцыя, звязаны з крэмніевым карбідам (RBSC), валодае добрымі ўласцівасцямі пры падвышаных тэмпературах і можа выкарыстоўвацца ў вогнетрывалых ужываннях.
Матэрыялы карбіду крэмнію праяўляюць добрую эрозію і абразіўную рэзістэнтнасць, гэтыя ўласцівасці могуць быць выкарыстаны ў розных дадатках, такіх як распыляльныя асадкі, выбухныя асадкі і цыклонскія кампаненты.
Асноўныя перавагі і ўласцівасці керамікі карбіду крэмнію:
Высокая цеплаправоднасць
КАМЕНТАЛЬНАЕ ЦЭНС
Выхаванне цеплавога ўдарнага супраціву
Extreme цвёрдасць
semiconductor
Рэканструктыўнае паказчык больш, чым алмаз
For more information on Silicon Carbide Ceramics please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Вытворчасць карбіду крэмнію
Карбід крэмнію выводзіцца з парашка або збожжа, выпрацоўваецца пры памяншэнні вугляроду крэмнія. Ён выпрацоўваецца як дробнае парашок, альбо вялікая звязаная маса, якая потым здрабняецца. Для ачышчэння (выдаліце крэмній) яго прамываюць гідрафторнай кіслатой.
Ёсць тры асноўныя спосабы вырабу камерцыйнага прадукту. Першы метад - змяшаць парашок карбіду крэмнію з іншым матэрыялам, такім як шкло ці метал, а потым апрацоўваецца, каб дазволіць другой фазе звязацца.
Іншы метад - змешваць парашок з вугляродам або крэмніевым металічным парашком, які потым рэакцыю.
У рэшце рэшт, парашок карбіду крэмнію можна здрабніць і спяваць за кошт дадання карбіду бору або іншай дапамогі для спекання, каб утварыць вельмі цвёрдую кераміку. Варта адзначыць, што кожны метад падыходзіць для розных прыкладанняў.
For more information on Reaction Bonded Silicon Carbide Ceramics please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Час паведамлення: 20 ліпеня 2018 г.