Silic cacbua tái kết tinh (RXSIC, ReSIC, RSIC, R-SIC). Nguyên liệu thô ban đầu là silic cacbua. Không sử dụng chất trợ cô đặc. Các khối nén xanh được nung nóng đến hơn 2200ºC để đạt độ kết dính cuối cùng. Vật liệu thu được có độ xốp khoảng 25%, hạn chế các tính chất cơ học; tuy nhiên, vật liệu có thể rất tinh khiết. Quy trình này rất tiết kiệm.
Silic cacbua liên kết phản ứng (RBSIC). Nguyên liệu thô ban đầu là silic cacbua cộng với cacbon. Thành phần xanh sau đó được thấm silic nóng chảy ở nhiệt độ trên 1450ºC theo phản ứng: SiC + C + Si -> SiC. Cấu trúc vi mô thường có một lượng silic dư thừa, làm hạn chế các đặc tính chịu nhiệt độ cao và khả năng chống ăn mòn. Kích thước thay đổi ít trong quá trình này; tuy nhiên, thường có một lớp silic trên bề mặt của sản phẩm cuối cùng. ZPC RBSiC được áp dụng công nghệ tiên tiến, sản xuất lớp lót chống mài mòn, tấm, ngói, lớp lót cyclone, khối, chi tiết không đều, và vòi phun FGD chống mài mòn & ăn mòn, bộ trao đổi nhiệt, ống, ống, v.v.
Silic cacbua liên kết nitrua (NBSIC, NSIC). Nguyên liệu thô ban đầu là silic cacbua cộng với bột silic. Khối vật liệu xanh được nung trong môi trường nitơ, tại đó phản ứng SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4 xảy ra. Vật liệu cuối cùng hầu như không thay đổi kích thước trong quá trình gia công. Vật liệu có độ xốp nhất định (thường khoảng 20%).
Silicon Carbide thiêu kết trực tiếp (SSIC). Silicon carbide là nguyên liệu thô ban đầu. Chất trợ cô đặc là bo cộng với carbon, và quá trình cô đặc diễn ra bằng quy trình phản ứng trạng thái rắn ở nhiệt độ trên 2200ºC. Đặc tính chịu nhiệt độ cao và khả năng chống ăn mòn của nó vượt trội do không có pha thủy tinh thứ hai ở ranh giới hạt.
Silicon Carbide thiêu kết pha lỏng (LSSIC). Silicon carbide là nguyên liệu thô ban đầu. Chất trợ cô đặc là oxit ytri và oxit nhôm. Quá trình cô đặc diễn ra ở nhiệt độ trên 2100ºC thông qua phản ứng pha lỏng và tạo ra pha thứ hai dạng thủy tinh. Các tính chất cơ học nhìn chung vượt trội hơn SSIC, nhưng tính chất nhiệt độ cao và khả năng chống ăn mòn không tốt bằng.
Silic cacbua ép nóng (HPSIC). Bột Silic cacbua được sử dụng làm nguyên liệu thô ban đầu. Chất trợ làm đặc thường là bo cộng với cacbon hoặc oxit ytri cộng với oxit nhôm. Quá trình làm đặc diễn ra bằng cách áp dụng đồng thời áp suất cơ học và nhiệt độ bên trong khoang khuôn graphite. Hình dạng của khuôn là các tấm đơn giản. Có thể sử dụng một lượng nhỏ chất trợ thiêu kết. Các tính chất cơ học của vật liệu ép nóng được sử dụng làm cơ sở để so sánh với các quy trình khác. Các tính chất điện có thể thay đổi bằng cách thay đổi chất trợ làm đặc.
Vật liệu cacbua silic CVD (CVDSIC). Vật liệu này được hình thành bằng quy trình lắng đọng hơi hóa học (CVD) bao gồm phản ứng: CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl. Phản ứng được thực hiện trong môi trường khí H2 với SiC được lắng đọng trên nền than chì. Quy trình này tạo ra vật liệu có độ tinh khiết rất cao; tuy nhiên, chỉ có thể chế tạo được các tấm đơn giản. Quy trình này rất tốn kém do thời gian phản ứng chậm.
Silicon Carbide Hợp Chất Hơi Hóa Học (CVCSiC). Quy trình này bắt đầu với tiền chất graphite độc quyền được gia công thành các hình dạng gần như lưới ở trạng thái graphite. Quá trình chuyển đổi này đưa phần graphite vào phản ứng trạng thái rắn hơi tại chỗ để tạo ra SiC đa tinh thể, chính xác về mặt hóa học. Quy trình được kiểm soát chặt chẽ này cho phép sản xuất các thiết kế phức tạp trong một phần SiC được chuyển đổi hoàn toàn, có các đặc tính dung sai chặt chẽ và độ tinh khiết cao. Quy trình chuyển đổi rút ngắn thời gian sản xuất thông thường và giảm chi phí so với các phương pháp khác.* Nguồn (trừ khi có ghi chú): Ceradyne Inc., Costa Mesa, California.
Thời gian đăng: 16-06-2018