Silicon Carbide có khả năng chống ăn mòn tuyệt vời, độ bền cơ học cao, độ dẫn nhiệt cao, hệ số giãn nở nhiệt rất thấp và khả năng chống sốc nhiệt tốt hơn so với pin nhôm ở nhiệt độ rất cao. Silicon carbide được cấu tạo từ tứ diện các nguyên tử cacbon và silic với các liên kết mạnh trong mạng tinh thể. Điều này tạo ra một vật liệu rất cứng và bền. Silicon carbide không bị tấn công bởi bất kỳ axit, kiềm hoặc muối nóng chảy nào lên đến 800ºC. Trong không khí, SiC tạo thành lớp phủ oxit silic bảo vệ ở 1200ºC và có thể sử dụng ở nhiệt độ lên đến 1600ºC. Độ dẫn nhiệt cao cùng với độ giãn nở nhiệt thấp và độ bền cao mang lại cho vật liệu này những đặc tính chống sốc nhiệt đặc biệt. Gốm silicon carbide có ít hoặc không có tạp chất ranh giới hạt vẫn duy trì độ bền ở nhiệt độ rất cao, đạt tới 1600ºC mà không bị mất độ bền. Độ tinh khiết về mặt hóa học, khả năng chống tấn công hóa học ở nhiệt độ cao và duy trì độ bền ở nhiệt độ cao đã khiến vật liệu này trở nên rất phổ biến làm giá đỡ khay wafer và cánh khuấy trong lò nung bán dẫn. Tính dẫn điện của vật liệu này đã dẫn đến việc sử dụng nó trong các bộ phận gia nhiệt điện trở của lò điện, và là thành phần chính trong các thermistor (điện trở biến đổi nhiệt độ) và varistor (điện trở biến đổi điện áp). Các ứng dụng khác bao gồm làm mặt phớt, tấm chịu mài mòn, ổ trục và ống lót.
Thời gian đăng: 05-06-2018