Silicon carbide có khả năng chống ăn mòn tuyệt vời, độ bền cơ học cao, độ dẫn nhiệt cao, hệ số giãn nở nhiệt rất thấp và khả năng chịu sốc nhiệt tốt hơn alumincell ở nhiệt độ rất cao. Silicon carbide được cấu tạo từ các tứ diện của các nguyên tử cacbon và silic với các liên kết mạnh trong mạng tinh thể. Điều này tạo ra một vật liệu rất cứng và bền. Silicon carbide không bị tấn công bởi bất kỳ axit, kiềm hoặc muối nóng chảy nào ở nhiệt độ lên đến 800ºC. Trong không khí, SiC tạo thành một lớp phủ oxit silic bảo vệ ở 1200ºC và có thể được sử dụng ở nhiệt độ lên đến 1600ºC. Độ dẫn nhiệt cao kết hợp với độ giãn nở nhiệt thấp và độ bền cao mang lại cho vật liệu này những đặc tính chịu sốc nhiệt vượt trội. Gốm silicon carbide với ít hoặc không có tạp chất ở ranh giới hạt duy trì độ bền của chúng ở nhiệt độ rất cao, gần 1600ºC mà không bị mất độ bền. Độ tinh khiết hóa học, khả năng chống lại sự tấn công hóa học ở nhiệt độ cao và khả năng duy trì độ bền ở nhiệt độ cao đã làm cho vật liệu này rất phổ biến được sử dụng làm giá đỡ khay wafer và cánh khuấy trong lò nung bán dẫn. Tính dẫn điện của vật liệu này đã dẫn đến việc sử dụng nó trong các phần tử gia nhiệt điện trở cho lò điện, và như một thành phần quan trọng trong các điện trở nhiệt (điện trở biến đổi nhiệt độ) và điện trở biến đổi điện áp (điện trở biến đổi điện áp). Các ứng dụng khác bao gồm bề mặt làm kín, tấm chống mài mòn, ổ trục và ống lót.
Thời gian đăng bài: 05/06/2018